[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310075067.0
• 申請日: 2023-02-07
• 公開（公告）號: CN116096108A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設計）人: 蘇維燕;初文靜;林金錫;林金漢
• 申請（專利權）人: 常州亞瑪頓股份有限公司
• 主分類號: H10K30/50
• 分類號: H10K30/50;H10K71/00;H10K71/10;H10K71/40
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 馬曉敏

1.一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

S1、提供透明襯底(1)，將所述透明襯底(1)清洗干凈，備用；

S2、在所述的透明襯底(1)上鍍透明導電層(1-1)，然后對所述透明導電層(1-1)進行p1道劃線，形成若干p1凹槽通道(2)；所述的p1凹槽通道(2)將所述的透明導電層(1-1)分隔成若干段；

S3、在所述的透明導電層(1-1)上放置一體式掩膜板，然后真空鍍膜，在若干段所述的透明導電層(1-1)上分別鍍設形成空穴傳輸層(1-2)；其中：所述的一體式掩膜板包括A區(qū)和B區(qū)；

S4、將所述的空穴傳輸層(1-2)退火/干燥后，利用真空鍍膜工藝在所述的空穴傳輸層(1-2)上鍍設鈣鈦礦吸收層(1-3)；

S5、將所述的鈣鈦礦吸收層(1-3)退火/干燥后，在所述鈣鈦礦吸收層(1-3)上鍍設電子傳輸層(1-4)；

S6、將所述的電子傳輸層(1-4)退火/干燥后，取下所述一體式掩膜板的A區(qū)，形成p2凹槽通道(3)；

S7、利用所述一體式掩膜板的B區(qū),在所述的電子傳輸層(1-4)上形成電連接層(1-5)和用于子電池分隔的p3凹槽通道(4)；

S8、將所述電連接層(1-5)退火/干燥后，取下所述一體式掩膜板的B區(qū)，然后進行p4道清邊處理，在所述電連接層(1-5)的兩端引線形成電回路，然后鋪設封裝材料進行層壓，形成子電池串聯(lián)的鈣鈦礦太陽能電池組件。

2.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述的透明襯底(1)的材質為透明玻璃或柔性襯底材料。

3.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述的劃線采用激光劃線或機械劃線，且所述的p1凹槽通道(2)的寬度為30-50nm；所述的透明導電層(1-1)的厚度為75-85nm；

所述的透明導電層(1-1)的材質選自銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜氧化鋅或摻氟錫氧化物中的一種。

4.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述的空穴傳輸層(1-2)的厚度為25-35nm；所述空穴傳輸層(1-2)的材質為NiOx或MoO₃氧化物；

所述的空穴傳輸層(1-2)與所述透明導電層(1-1)的寬度比值為0.8-0.9。

5.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，其特征在于，步驟S4中真空鍍膜的溫度為90-110℃；所述鈣鈦礦吸收層(1-3)的厚度為450-550nm；

其中：鈣鈦礦的化學式表示為ABX₃；A表示Cs⁺、CH₃NH₃⁺和HN?CH(NH₂)₂⁺中的一種正離子，B表示Pb²⁺、Sn²⁺中的一種金屬離子,X表示Cl-、Br^-和I^-中的一種離子。

6.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，其特征在于，步驟S5中所述的電子傳輸層(1-4)的材質選自富勒烯、富勒烯衍生物、TiO₂或SnO₂中的一種。

7.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，其特征在于，步驟S6中所述的p2凹槽通道(3)的寬度為80-100nm。

8.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，其特征在于，步驟S7中所述的電連接層(1-5)的材質選自于金、銀、鋁或金屬氧化物ZnO、MoO中的一種。