[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上失效點(diǎn)的定位方法及治具的制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310074661.8
• 申請日: 2023-01-16
• 公開（公告）號: CN116087733A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳家寶
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/04;G01N23/04;G01N23/2251;G01N23/18;H01L21/66
• 代理公司: 北京名華博信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11453
• 代理人: 魯盛楠

本公開是關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上失效點(diǎn)的定位方法及治具的制作方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上失效點(diǎn)的定位方法包括：提供治具；獲取目標(biāo)器件上失效點(diǎn)的失效坐標(biāo)；將所述治具靠近所述目標(biāo)器件；依據(jù)檢索到的與所述失效坐標(biāo)對應(yīng)的所述定位點(diǎn)，于所述目標(biāo)器件上標(biāo)記對應(yīng)位置。本公開通過與目標(biāo)器件位置對應(yīng)的治具直接定位失效坐標(biāo)的具體位置，而不再需要通過數(shù)常閉觸點(diǎn)的個(gè)數(shù)來確定失效坐標(biāo)在目標(biāo)器件上的具體位置，減少了去層切片檢測之前在目標(biāo)器件上根據(jù)前置步驟中在電性測試設(shè)備上抓取到的失效地址找到失效點(diǎn)的耗時(shí)，減小了目標(biāo)器件所受電子束的輻照時(shí)長導(dǎo)致電性結(jié)果偏差的可能，同時(shí)為后續(xù)的定位切樣步驟提供定位，降低了后續(xù)檢測步驟的難度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上失效點(diǎn)的定位方法及治具的制作方法。

背景技術(shù)

當(dāng)前進(jìn)行失效分析時(shí)，在電性測試設(shè)備上抓取到失效地址之后，需要去層切片最終找到具體的缺陷位置。

在去層切片檢測之前，需要在目標(biāo)器件上根據(jù)前置步驟中在電性測試設(shè)備上抓取到的失效地址找到失效點(diǎn)，當(dāng)位線或字線的地址較長時(shí)，找尋失效點(diǎn)所需時(shí)間會明顯增加，對應(yīng)的目標(biāo)器件所受電子束的輻照時(shí)長也會增加，容易造成目標(biāo)器件的電性結(jié)果偏差。

發(fā)明內(nèi)容

以下是對本公開詳細(xì)描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本公開提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上失效點(diǎn)的定位方法及治具的制作方法。

本公開實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上失效點(diǎn)的定位方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上失效點(diǎn)的定位方法包括：提供治具，所述治具具有多個(gè)由確定的坐標(biāo)定義的定位點(diǎn)，所述定位點(diǎn)呈陣列狀間隔分布；獲取目標(biāo)器件上失效點(diǎn)的失效坐標(biāo)；將目標(biāo)器件轉(zhuǎn)移至檢測機(jī)臺，將所述治具靠近所述目標(biāo)器件，于所述治具上檢索與所述失效坐標(biāo)對應(yīng)的所述定位點(diǎn)。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，所述獲取所述目標(biāo)器件上失效點(diǎn)的失效坐標(biāo)包括：通過納米探針扎樣測試，確定所述目標(biāo)器件上的所述失效點(diǎn)并獲取所述失效點(diǎn)的坐標(biāo)。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，所述將所述治具靠近所述目標(biāo)器件包括：將所述治具固定于所述目標(biāo)器件上方，所述治具上的每一定位點(diǎn)僅對應(yīng)于所述目標(biāo)器件上的一處失效點(diǎn)，或，所述治具上的相鄰多個(gè)定位點(diǎn)之間區(qū)域僅對應(yīng)于所述目標(biāo)器件上的一處失效點(diǎn)。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，所述于所述治具上檢索與所述失效坐標(biāo)對應(yīng)的所述定位點(diǎn)包括：于所述治具上確定與所述失效坐標(biāo)一致的定位點(diǎn)或與所述失效坐標(biāo)對應(yīng)的位于所述失效坐標(biāo)外圍的多個(gè)定位點(diǎn)。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，所述于所述治具上檢索與所述失效坐標(biāo)對應(yīng)的所述定位點(diǎn)后，依據(jù)檢索到的與所述失效坐標(biāo)對應(yīng)的所述定位點(diǎn)，于所述目標(biāo)器件上標(biāo)記對應(yīng)位置。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，所述依據(jù)檢索到的與所述失效坐標(biāo)對應(yīng)的所述定位點(diǎn)，于所述目標(biāo)器件上標(biāo)記對應(yīng)位置包括：于所述目標(biāo)器件上設(shè)置多個(gè)位置識別點(diǎn)，每一所述位置識別點(diǎn)均對應(yīng)與所述失效坐標(biāo)對應(yīng)的所述定位點(diǎn)。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，所述于所述目標(biāo)器件上標(biāo)記對應(yīng)位置包括：去除所述治具上與所述目標(biāo)器件上對應(yīng)位置對應(yīng)的部分實(shí)體；于所述目標(biāo)器件上固定所述治具上去除的部分實(shí)體，用作所述對應(yīng)位置的標(biāo)記。

本公開實(shí)施例的第二方面，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的檢測方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的檢測方法包括：通過所述目標(biāo)器件上與定位點(diǎn)對應(yīng)的標(biāo)記確定所述失效點(diǎn)所在區(qū)域；對所述失效點(diǎn)的所在區(qū)域進(jìn)行檢測。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，所述通過所述目標(biāo)器件上與定位點(diǎn)對應(yīng)的標(biāo)記確定所述失效點(diǎn)位置包括：定位所述目標(biāo)器件上被標(biāo)記的位置邊界，所述失效點(diǎn)位于所述被標(biāo)記的位置邊界內(nèi)的中央位置。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，所述對所述失效點(diǎn)進(jìn)行檢測包括：對所述失效點(diǎn)進(jìn)行掃描電鏡觀察和/或納米探針電性測試和/或透射電子顯微鏡切片拍照。