[發明專利]半導體結構上失效點的定位方法及治具的制作方法

在審

• 申請號: 202310074661.8
• 申請日: 2023-01-16
• 公開（公告）號: CN116087733A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 陳家寶
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/04;G01N23/04;G01N23/2251;G01N23/18;H01L21/66
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 魯盛楠

1.一種半導體結構上失效點的定位方法，其特征在于，所述半導體結構上失效點的定位方法包括：

提供治具，所述治具具有多個由確定的坐標定義的定位點，所述定位點呈陣列狀間隔分布；

獲取目標器件上失效點的失效坐標；

將目標器件轉移至檢測機臺，將所述治具靠近所述目標器件，于所述治具上檢索與所述失效坐標對應的所述定位點。

2.根據權利要求1所述的半導體結構上失效點的定位方法，其特征在于，所述獲取所述目標器件上失效點的失效坐標包括：通過納米探針扎樣測試，確定所述目標器件上的所述失效點并獲取所述失效點的坐標。

3.根據權利要求1所述的半導體結構上失效點的定位方法，其特征在于，所述將所述治具靠近所述目標器件包括：

將所述治具固定于所述目標器件上方，所述治具上的每一定位點僅對應于所述目標器件上的一處失效點，或，所述治具上的相鄰多個定位點之間區域僅對應于所述目標器件上的一處失效點。

4.根據權利要求1所述的半導體結構上失效點的定位方法，其特征在于，所述于所述治具上檢索與所述失效坐標對應的所述定位點包括：

于所述治具上確定與所述失效坐標一致的定位點或與所述失效坐標對應的位于所述失效坐標外圍的多個定位點。

5.根據權利要求1所述的半導體結構上失效點的定位方法，其特征在于，所述于所述治具上檢索與所述失效坐標對應的所述定位點后，依據檢索到的與所述失效坐標對應的所述定位點，于所述目標器件上標記對應位置。

6.根據權利要求5所述的半導體結構上失效點的定位方法，其特征在于，所述依據檢索到的與所述失效坐標對應的所述定位點，于所述目標器件上標記對應位置包括：于所述目標器件上設置多個位置識別點，每一所述位置識別點均對應與所述失效坐標對應的所述定位點。

7.根據權利要求5所述的半導體結構上失效點的定位方法，其特征在于，所述于所述目標器件上標記對應位置包括：

去除所述治具上與所述目標器件上對應位置對應的部分實體；

于所述目標器件上固定所述治具上去除的部分實體，用作所述對應位置的標記。

8.一種半導體結構的檢測方法，其特征在于，所述半導體結構的檢測方法包括：通過所述目標器件上與定位點對應的標記確定所述失效點所在區域；

對所述失效點的所在區域進行檢測。

9.根據權利要求8所述的半導體結構的檢測方法，其特征在于，所述通過所述目標器件上與定位點對應的標記確定所述失效點位置包括：定位所述目標器件上被標記的位置邊界，所述失效點位于所述被標記的位置邊界內的中央位置。

10.根據權利要求9所述的半導體結構的檢測方法，其特征在于，所述對所述失效點進行檢測包括：對所述失效點進行掃描電鏡觀察和/或納米探針電性測試和/或透射電子顯微鏡切片拍照。

11.根據權利要求8所述的半導體結構的檢測方法，其特征在于，所述對所述失效點進行射電子顯微鏡切片拍照包括：于所述治具表面鍍鉑，連帶所述治具一同切片。

12.一種治具，其特征在于，所述治具包括縱橫交錯并等間距間隔分布的多根定位軸，縱橫交錯的定位軸的交界處形成定位點。

13.一種治具的制作方法，其特征在于，所述治具的制作方法包括：

提供基體；

根據目標器件的字線寬度和/或位線寬度和/或外圍觸點間隔確定定位點和定位點坐標；

去除部分所述基體，剩余所述基體呈網格狀，所述定位點位于剩余所述基體的縱橫交錯處。