[發明專利]一種硼擴散爐管維護效果檢測方法在審
| 申請號: | 202310074127.7 | 申請日: | 2023-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN116013801A | 公開(公告)日: | 2023-04-25 |
| 發明(設計)人: | 王通;張紅妹;魏雙雙;李青娟;李倩;尚琪 | 申請(專利權)人: | 英利能源發展(保定)有限公司;英利能源發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 河北國維致遠知識產權代理有限公司 13137 | 代理人: | 趙寶琴 |
| 地址: | 072150 河北省保定市滿城*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 擴散 爐管 維護 效果 檢測 方法 | ||
1.一種硼擴散爐管維護效果檢測方法,其特征在于,包括:
S1:選擇原硅片,對所述原硅片進行雙面拋光;
S2:對所述原硅片進行雙面硼擴散,并測試擴后硅片的方阻;
S3:篩選出符合生產要求的合格擴后硅片,并去除合格的所述擴后硅片表面的硼硅玻璃;
S4:在所述擴后硅片的雙面加工形成氮化硅膜,用于鈍化和保護硅片表面;
S5:燒結處理所述擴后硅片;
S6:對處理后的硅片進行Sinton測試,并記錄少子壽命、反向飽和電流密度和開路電壓。
2.如權利要求1所述的硼擴散爐管維護效果檢測方法,其特征在于,在S1中,對所述原硅片進行雙面拋光之前,先使用堿液所述原硅片進行清洗,再對所述原硅片進行清水噴淋;所述堿液為氫氧化鉀和過氧化氫的混合液,氫氧化鉀的濃度為1-2%(w%),過氧化氫的濃度為5.5-6.5%(w%),反應溫度為55-65℃,清洗時間為1.5-2.5分鐘。
3.如權利要求2所述的硼擴散爐管維護效果檢測方法,其特征在于,在S1中,將所述原硅片置于堿性液體中進行雙面拋光。
4.如權利要求3所述的硼擴散爐管維護效果檢測方法,其特征在于,在S1中,對所述原硅片進行雙面拋光之后,先對雙面拋光后的原硅片進行清水噴淋,再使用酸液進行酸洗,然后采用慢提拉清洗,最后進行烘干;所述酸液為鹽酸和氫氟酸的混合液,鹽酸的濃度為3-5%(w%),氫氟酸的濃度為3-5%(w%);所述慢提拉清洗在冷水中進行。
5.如權利要求1所述的硼擴散爐管維護效果檢測方法,其特征在于,在S1中,對所述原硅片進行雙面拋光后,將所述原硅片放置于氮氣環境下。
6.如權利要求1所述的硼擴散爐管維護效果檢測方法,其特征在于,在S2中,使用硼擴散爐對所述原硅片進行雙面硼擴散,且分別在所述硼擴散爐的爐口、爐中及爐尾進行所述原硅片的雙面硼擴散;在S6中,對處理后的硅片進行Sinton測試后,所記錄少子壽命、反向飽和電流密度和開路電壓的數據為在所述硼擴散爐的爐口、爐中及爐尾測試數據的平均值。
7.如權利要求1所述的硼擴散爐管維護效果檢測方法,其特征在于,在S3中,使用氫氟酸去除所述擴后硅片上的硼硅玻璃;氫氟酸的濃度為3-5%(w%),反應時間為6-10分鐘。
8.如權利要求1所述的硼擴散爐管維護效果檢測方法,其特征在于,在S4中,所述氮化硅膜的膜厚為60-70nm,折射率2.05-2.2。
9.如權利要求1所述的硼擴散爐管維護效果檢測方法,其特征在于,在S5中,燒結處理所述擴后硅片后,收集硅片并使用隔紙隔開放置。
10.如權利要求1所述的硼擴散爐管維護效果檢測方法,其特征在于,在S6中,對硅片進行PL測試,并記錄硅片的光致發光光譜數據。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英利能源發展(保定)有限公司;英利能源發展有限公司,未經英利能源發展(保定)有限公司;英利能源發展有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310074127.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





