[發(fā)明專利]一種晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310071456.6
• 申請(qǐng)日: 2023-01-16
• 公開（公告）號(hào): CN116053207A
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 辛春艷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豐非芯（上海）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/78
• 分類號(hào): H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/304;H01L21/306
• 代理公司: 北京市一法律師事務(wù)所 11654
• 代理人: 劉榮娟

1.一種晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法，其特征在于，包括：

提供晶圓，所述晶圓包括若干用于形成半導(dǎo)體器件的器件區(qū)和若干用于形成切割道的切割道區(qū)，所述晶圓包括相對(duì)的第一面和第二面；

在所述晶圓第一面的器件區(qū)形成第一溝槽、以及在所述晶圓第一面的切割道區(qū)形成第二溝槽，所述第二溝槽的寬度大于所述第一溝槽的寬度且所述第二溝槽的位置與切割道位置對(duì)應(yīng)，所述第二溝槽的深度大于所述第一溝槽的深度；

在所述第一溝槽中形成半導(dǎo)體器件、同時(shí)在所述第二溝槽的底部和側(cè)壁形成填充層，其中，所述填充層不完全填充所述第二溝槽，并使所述第二溝槽在深度方向具有貫穿孔；

減薄所述晶圓第二面至暴露出所述貫穿孔，相鄰器件區(qū)分離。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法，其特征在于，形成所述第一溝槽和所述第二溝槽的方法包括：

執(zhí)行第一刻蝕工藝，刻蝕所述切割道區(qū)的晶圓第一面形成第二溝槽；

執(zhí)行第二刻蝕工藝，刻蝕所述器件區(qū)的晶圓第一面形成第一溝槽，同時(shí)刻蝕所述第二溝槽底部的晶圓使所述第二溝槽的深度大于所述第一溝槽的深度。

3.如權(quán)利要求2所述的晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法，其特征在于，第一刻蝕工藝形成的第二溝槽的深度為H1，執(zhí)行第二刻蝕工藝后所述第二溝槽的深度為H2，所述第一溝槽的深度為H3，H2比H3大0.5微米至100微米。

4.如權(quán)利要求1所述的晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法，其特征在于，形成所述第一溝槽和所述第二溝槽的方法包括：

執(zhí)行第三刻蝕工藝，刻蝕所述器件區(qū)的晶圓第一面形成第一溝槽，同時(shí)刻蝕所述切割道區(qū)的晶圓第一面形成第二溝槽；

繼續(xù)執(zhí)行第四刻蝕工藝，刻蝕所述第二溝槽底部的晶圓使所述第二溝槽的深度大于所述第一溝槽的深度。

5.如權(quán)利要求4所述的晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法，其特征在于，第三刻蝕工藝形成的所述第一溝槽的深度為h1，第二溝槽的深度為h2，執(zhí)行第四刻蝕工藝后所述第二溝槽的深度為h3，h3比h1大0.5微米至100微米。

6.如權(quán)利要求1所述的晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法，其特征在于，所述貫穿孔的寬度為10納米至80微米，所述第二溝槽的寬度小于等于100微米。

7.如權(quán)利要求1所述的晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法，其特征在于，減薄所述晶圓第二面至暴露出所述貫穿孔，相鄰器件區(qū)分離的方法包括：

在所述晶圓第一面形成承載基底；

減薄所述晶圓第二面至暴露出所述貫穿孔；

去除所述承載基底，使相鄰器件區(qū)分離。

8.如權(quán)利要求8所述的晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法，其特征在于，在所述晶圓第一面形成承載基底的方法包括：在所述晶圓的第一面臨時(shí)鍵合承載晶圓，所述承載晶圓為所述承載基底。

9.如權(quán)利要求8所述的晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法，其特征在于，在所述晶圓第一面形成承載基底的方法包括：在所述晶圓的第一面形成有機(jī)膜，所述有機(jī)膜為所述承載基底。

10.如權(quán)利要求1所述的晶圓結(jié)構(gòu)的切片方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為電容器，在所述第一溝槽中形成半導(dǎo)體器件、同時(shí)在所述第二溝槽的底部和側(cè)壁形成填充層，其中，所述第二溝槽在深度方向具有貫穿孔的方法包括：在所述第一溝槽底部和側(cè)壁、所述晶圓第一面以及所述第二溝槽底部和側(cè)壁依次形成下電極層、介電層和上電極層，所述下電極層、介電層和上電極層填滿所述第一溝槽，但不填滿所述第二溝槽，所述第一溝槽中的下電極層、介電層和上電極層形成所述電容器，所述第二溝槽中的下電極層、介電層和上電極層形成所述填充層。