[發明專利]熒光體及其制造方法

在審

• 申請號: 202310066570.X
• 申請日: 2023-01-13
• 公開（公告）號: CN116496787A
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 吉田茂希;筱原雄之;渡邊浩之
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;C09K11/81;C09K11/08;H01L33/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 沈雪

本發明的課題在于，提供能夠顯示出更高的發光強度的氮化物系熒光體。其解決方法是一種熒光體，其包含：含有La、Ce、Si及N的氮化物熒光體、和存在于上述氮化物熒光體的表面的第1磷化合物。第1磷化合物包含選自磷酸鑭、磷酸氫鑭及它們的水合物中的至少一種。熒光體中所含的磷原子的含有率為0.07質量％以上且0.8質量％以下。

技術領域

本發明涉及熒光體及其制造方法。

背景技術

作為發光裝置，例如有將藍色LED(Light?Emitting?Diode)芯片或藍色LD(LaserDiode)與黃色熒光體組合而成的發光裝置。作為黃色熒光體，例如已知有專利文獻1中記載的具有La₃Si₆N₁₁:Ce表示的組成的氮化物系熒光體。專利文獻1中提出了在含氟物質的存在下對氮化物系熒光體進行熱處理的制造方法。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2019-112589號公報

發明內容

發明所要解決的問題

本發明的一個方式的目的在于，提供能夠顯示出更高的發光強度的氮化物系熒光體及其制造方法。

解決問題的方法

第一個方式涉及一種熒光體，其包含：含有鑭(La)、鈰(Ce)、硅(Si)及氮(N)的氮化物熒光體、和存在于上述氮化物熒光體的表面的第1磷化合物。第1磷化合物包含選自磷酸鑭、磷酸氫鑭及它們的水合物中的至少一種。另外，熒光體中所含的磷原子的含有率為0.07質量％以上且0.8質量％以下。

第二方式涉及一種熒光體的制造方法，該方法包括：

在相對于具有下述式(1)表示的組成的氮化物熒光體為0.1質量％以上且47質量％以下的第2磷化合物及液態水或氣態水的存在下，以90℃以上且400℃以下的溫度對氮化物熒光體進行熱處理，

La_pCe_sM¹_qM²_rN_t???(1)

式(1)中，M¹表示選自除La及Ce以外的稀土類元素中的至少一種，至少包含選自Y、Gd及Lu中的至少一種，M²表示選自Si、Ge、B、Al及Ga中的至少一種，至少包含Si，p、q、r、s及t滿足2.7≤p+q+s≤3.3、0≤q≤1.2、5.4≤r≤6.6、10≤t≤12、0＜s≤1.2。

第三方式涉及一種發光裝置，其包含：

在350nm以上且500nm以下的波長范圍內具有發光峰值波長的發光元件、和

被發光元件激發的第一個方式的熒光體。

發明的效果

根據本發明的一個方式，可以提供能夠顯示出更高的發光強度的氮化物系熒光體及其制造方法。

附圖說明

圖1A是從主面側觀察波長轉換構件的俯視圖。

圖1B是從側面觀察波長轉換構件的側面圖，是將其一部分放大示出的剖面圖。

圖2是示出發光裝置的一例的結構示意圖、和將其波長轉換構件的一部分放大示出的圖。

圖3是示出發光裝置的另一例的結構示意圖、和將其波長轉換構件的一部分放大示出圖。

圖4是示出熒光體的發光光譜的圖。