[發明專利]熒光體及其制造方法

在審

• 申請號: 202310066570.X
• 申請日: 2023-01-13
• 公開（公告）號: CN116496787A
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 吉田茂希;筱原雄之;渡邊浩之
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;C09K11/81;C09K11/08;H01L33/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 沈雪

1.一種熒光體，其包含：

含有La、Ce、Si及N的氮化物熒光體、和

存在于所述氮化物熒光體的表面的第1磷化合物，

所述第1磷化合物包含選自磷酸鑭、磷酸氫鑭及它們的水合物中的至少一種，

所述熒光體中所含的磷原子的含有率為0.07質量％以上且0.8質量％以下。

2.根據權利要求1所述的熒光體，其中，

所述熒光體包含氧原子及氫原子，所述熒光體中所含的氧原子的含有率為0.6質量％以上，所述熒光體中所含的氫原子的含有率為0.02質量％以上。

3.根據權利要求1或2所述的熒光體，其中，

所述氮化物熒光體具有下述式(1)表示的組成，

La_pCe_sM¹_qM²_rN_t(1)

在式(1)中，M¹表示選自除La及Ce以外的稀土類元素中的至少一種，至少包含選自Y、Gd及Lu中的至少一種，M²表示選自Si、Ge、B、Al及Ga中的至少一種，且M²至少包含Si，p、q、r、s及t滿足2.7≤p+q+s≤3.3、0≤q≤1.2、5.4≤r≤6.6、10≤t≤12、0＜s≤1.2。

4.根據權利要求3所述的熒光體，其中，

在所述式(1)中，M¹包含Y及Gd中的至少一種。

5.一種發光裝置，其具備：

在350nm以上且500nm以下的波長范圍內具有發光峰值波長的發光元件、和

包含被所述發光元件激發的權利要求1～4中任一項所述的熒光體的波長轉換構件。

6.一種熒光體的制造方法，該方法包括：

在液態水或氣態水、以及相對于具有下述式(1)表示的組成的氮化物熒光體為0.1質量％以上且47質量％以下的第2磷化合物的存在下，以90℃以上且400℃以下的溫度對所述氮化物熒光體進行熱處理，

La_pCe_sM¹_qM²_rN_t(1)

在式(1)中，M¹表示選自除La及Ce以外的稀土類元素中的至少一種，至少包含選自Y、Gd及Lu中的至少一種，M²表示選自Si、Ge、B、Al及Ga中的至少一種，且M²至少包含Si，p、q、r、s及t滿足2.7≤p+q+s≤3.3、0≤q≤1.2、5.4≤r≤6.6、10≤t≤12、0＜s≤1.2。

7.根據權利要求6所述的熒光體的制造方法，其中，

所述熱處理在相對濕度為85％以上的條件下進行。

8.權利要求6或7所述的熒光體的制造方法，其中，

所述熱處理使所述第2磷化合物與液態水或氣態水在所述氮化物熒光體的表面形成選自磷酸鑭、磷酸氫鑭及它們的水合物中的至少一種。

9.根據權利要求6～8中任一項所述的熒光體的制造方法，其中，

所述第2磷化合物包含選自磷酸、氧化磷、磷酸銨鹽、磷酸堿金屬鹽及磷酸堿土金屬鹽中的至少一種。