[發(fā)明專利]一種集成在電機(jī)殼內(nèi)部的電機(jī)控制模塊在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310056978.9 | 申請日： | 2023-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN116131541A | 公開（公告）日： | 2023-05-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫儒文;陸之成 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波央騰汽車電子有限公司 |
| 主分類號： | H02K11/30 | 分類號： | H02K11/30;H02K11/33;H02K11/00;H02K5/20;H02K9/19 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人： | 黨蕾 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 集成 機(jī)殼 內(nèi)部 電機(jī) 控制 模塊 | ||
本發(fā)明涉及電機(jī)控制技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種集成在電機(jī)殼內(nèi)部的電機(jī)控制模塊，所述電機(jī)控制模塊為圓盤狀，包括：位于內(nèi)圓的薄膜電容；多個MOSFET芯片，多個所述MOSFET芯片圍繞所述薄膜電容布置；所述MOSFET芯片的源極通過銅排焊接引出正極和負(fù)極，所述MOSFET芯片的漏極通過銅排焊接引出三相分布性銅排抽頭；所述正極和所述負(fù)極通過所述銅排直接與所述薄膜電容內(nèi)的電容芯子連接，所述三相分布性銅排抽頭與一電機(jī)定子直接連接。本發(fā)明采用圓形扁平薄膜電容，生產(chǎn)成本低且扁平電容高度低，寄生電感降低；電機(jī)三相繞組無任何端部轉(zhuǎn)接線；無需額外水路連接，電容大面積高效冷卻；省去大量無用轉(zhuǎn)接部件、結(jié)構(gòu)緊湊、生產(chǎn)高效、成本低。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電機(jī)控制技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種集成在電機(jī)殼內(nèi)部的電機(jī)控制模塊。
背景技術(shù)
電機(jī)是現(xiàn)在家電以及機(jī)械設(shè)備中不可或缺的裝置，現(xiàn)有的電機(jī)控制設(shè)備中，MOSFET芯片通過綁定線與MOSFET芯片輸出端子轉(zhuǎn)接，寄生電感大，不適合高速開關(guān)的應(yīng)用，多次轉(zhuǎn)接導(dǎo)致用料多，集成成本高；母線薄膜電容通過內(nèi)部轉(zhuǎn)接銅排與電容輸出端子連接，并與MOSFET芯片輸出端子連接，且MOSFET芯片及薄膜電容需要兩次封裝；電機(jī)三相繞組在電機(jī)端部形成引出線，并與電機(jī)三輸出銅排進(jìn)行焊接連接，電機(jī)與MOSFET芯片多級連接，電氣連接復(fù)雜，連接點(diǎn)失效高發(fā)；電機(jī)三相輸出銅排與MOSFET芯片輸出端子通過轉(zhuǎn)接銅排/高壓線束連接；電機(jī)與MOSFET模塊通過水管連接的串聯(lián)水道內(nèi)依次冷卻，且電機(jī)與MOSFET芯片的冷卻連接復(fù)雜，電容散熱面小，且多為無水冷散熱；電機(jī)端部引出線部分占據(jù)電機(jī)1/3體積，功率密度低，且端子線難以冷卻，產(chǎn)品功率密度低，電容熱應(yīng)力大。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種集成在電機(jī)殼內(nèi)部的電機(jī)控制模塊。
本發(fā)明所解決的技術(shù)問題可以采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
一種集成在電機(jī)殼內(nèi)部的電機(jī)控制模塊，所述電機(jī)控制模塊為圓盤狀，包括：
位于內(nèi)圓的薄膜電容；
多個MOSFET芯片，多個所述MOSFET芯片圍繞所述薄膜電容布置；
所述MOSFET芯片的源極通過銅排焊接引出正極和負(fù)極，所述MOSFET芯片的漏極通過銅排焊接引出三相分布性銅排抽頭；
所述正極通過所述銅排直接與所述薄膜電容內(nèi)的電容芯子上表面連接，所述負(fù)極通過所述銅排直接與所述薄膜電容內(nèi)的電容芯子下表面連接，所述三相分布性銅排抽頭與一電機(jī)定子直接連接。
優(yōu)選的，所述電機(jī)定子的分布性繞組直接與所述三相分布性銅排抽頭的電阻焊接。
優(yōu)選的，所述電機(jī)定子上設(shè)有一電機(jī)端蓋，所述所述電機(jī)控制模塊固定于所述電機(jī)端蓋上。
優(yōu)選的，所述電機(jī)端蓋為圓形，所述電機(jī)端蓋和所述電機(jī)定子的水套共用一水冷回路。
優(yōu)選的，所述MOSFET芯片和所述薄膜電容一體樹脂灌封，所述三相分布性銅排抽頭外漏于封裝外。
優(yōu)選的，所述薄膜電容為卷繞的圓形扁平狀薄膜電容。
優(yōu)選的，所述電機(jī)控制模塊上裝置一線路板，與所述電機(jī)控制模塊位置相對應(yīng)設(shè)定。
優(yōu)選的，所述線路板為圓形，所述線路板內(nèi)圓對應(yīng)所述薄膜電容的控制電路部分，所述線路板外環(huán)對應(yīng)所述MOSFET芯片的驅(qū)動電路部分。
優(yōu)選的，所述線路板上設(shè)有多個元器件。
優(yōu)選的，所述MOSFET芯片、所述薄膜電容和所述電機(jī)定子一體集成。
其有益效果在于：
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