[發明專利]一種內部各部分串聯的太陽能電池結構及制作方法在審
| 申請號: | 202310056962.8 | 申請日: | 2023-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN116487457A | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 劉金寧;劉小敏;劉伯虎 | 申請(專利權)人: | 慶陽光來科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0463 | 分類號: | H01L31/0463;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 745306 甘肅省*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 內部 各部分 串聯 太陽能電池 結構 制作方法 | ||
本發明涉及一種實現整片電池內各部分串聯的結構,以及該結構電池的制作方法。其特征在于,在無需將整片電池切割為半片、三分片或四分片,而在完整的電池片內實現各分割部分之間串聯。本發明的區塊串聯結構電池可簡稱BSC(Blocks?Series?Connection)電池。本發明的電池結構可用于鋁背場電池、PERC電池、HIT異質結電池、TOPCON電池、IBC電池、異質結?IBC結構的電池等單PN結晶體硅電池,也可用于鈣鈦礦電池、薄膜電池和有機電池,以及鈣鈦礦?HIT電池等多PN結等太陽能電池。特別對于MWT和EWT結構的太陽能電池,本發明的電池結構更容易實現。本發明的電池結構亦可用于非PN結結構的肖特基太陽能電池和鐵電體(也稱駐極體)結構的太陽能電池。
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,具體是一種實現電池片內多個區域進行串聯的電池結構,及實現方法。
背景技術
在太陽能電池領域,為了提高電池片生產效率,單個電池片的面積越來越大。更大面積的電池片,提高了單片電池的功率,但光電轉換效率并非增大,反而會降低。較大面積的電池片,一方面被絕緣刻蝕的不能有效發電的邊緣區域,所占比重降低,這是利于提高電池效率的因素;同時,隨著面積的增大,電池的電流增大,電池的柵線長度也增加,柵線電阻增加,電流經過柵線的損耗也增加。
為了提高生產率,推廣大面積電池片,同時又降低電流在柵線的電阻損耗,行業內出現了比較成熟的半片和疊片(也稱疊瓦)組件封裝方案。這兩種方案都需要把較大的整片電池切割成大小相等的2部分(也有3或4部分),然后在封裝的時候串聯起來,這樣可以降低電阻損耗。
這種半片封裝可實現組件增益5~10瓦。半片和疊瓦封裝,都需要對完整的電池片進行分割,存在分割破損率。還有對電池片分割,形成了新的邊緣,這種邊緣由于電池結構受損影響電池效率。其次,分片和疊片的封裝比較復雜,封裝成本較高。分片封裝會形成分片電池之間更多的空隙,降低了組件效率。
發明內容
本發明為解決技術難題所采取的技術方案是:在常規的太陽能片制作階段,電池片內部絕緣分割為多個區域,各個相鄰區域之間通過穿孔結構的金屬化連接,形成內部串聯的電池結構。這種結構的電池,只增加了絕緣分割和通孔金屬化兩道生產工藝,避免了切片工藝,以及后續復雜的半片封裝或疊片封裝工藝。從整體考慮,簡化了電池模組的生產工藝,同時增加了效益。
本發明實現整片電池內部各部串聯的結構,以及該結構電池的制作方法。無需將整片電池切割為半片、三分片或四分片,而在完整的電池片內通過激光劃刻絕緣(或機械劃刻絕緣)和激光穿孔技術,實現電池片內兩部分、三部分或四部分電池片絕緣分割,以及各分割部分之間串聯。
優選地,利用激光劃刻和激光穿孔,在完整的電池片內實現電池片內各部分小塊區域串聯的電池結構。
優選地,利用激光劃刻,將完整的電池片均勻地分割為2部分、或3部分、或4部分、或更多部分,利用激光穿孔技術在電池片打孔,通過穿孔的金屬化連接電池片中相鄰經過分割絕緣部分的正負極,即A部分的正極通過穿孔與相鄰的B部分的負極導通,從而實現所分割的各部分電池之間串聯。
對于整片電池的絕緣分割可采用激光劃刻或機械刀具劃刻。對于晶體硅電池,必須通過激光劃刻切斷電池表面的擴散層,劃刻深度必須穿透硅片表面的擴散層,劃刻深度大于0.1微米(因為擴散或離子注入的PN結、N+、P+層深度范圍在0.1~0.3微米)。
對于異質結電池,由P-I-N結構及其表面的透明導電膜組成,這些結構都是通過外延的方法在硅片表面形成的結構。對于異質結的劃刻,必須切斷外延層,以及外延層兩邊的透明導電層。對于IBC等背結構電池,也可以通過生長高電阻的本征層,作為各部分的絕緣分割線。
通過劃刻,切斷電池片的P層、N層、P+層、N+層以及異質結電池的透明導電層,形成絕緣分割線,將整片電池通過絕緣線分割成多個部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





