[發明專利]一種內部各部分串聯的太陽能電池結構及制作方法在審
| 申請號: | 202310056962.8 | 申請日: | 2023-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN116487457A | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 劉金寧;劉小敏;劉伯虎 | 申請(專利權)人: | 慶陽光來科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0463 | 分類號: | H01L31/0463;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 745306 甘肅省*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 內部 各部分 串聯 太陽能電池 結構 制作方法 | ||
1.一種無需切割電池片,利用激光劃刻和激光穿孔,在完整的電池片內實現電池片內各部分小塊區域串聯的電池結構。其特征在于,將完整的電池片均勻地絕緣分割為2部分、3部分、4部分或更多部分,在電池片制作導電通孔,通過通孔的金屬化連接電池片中相鄰經過分割絕緣部分的正負極,即A部分的正極通過穿孔與相鄰的B部分的負極導通,從而實現所分割的各部分電池之間串聯。
2.根據權利要求1所述的方法,對于整片電池的絕緣分割,可采用激光劃刻或機械刀具劃刻。對于晶體硅電池,必須通過激光劃刻切斷電池表面的擴散層,劃刻深度必須穿透硅片表面的擴散層,劃刻深度大于0.1微米(因為擴散或離子注入的PN結、N+、P+層深度范圍在0.1~0.3微米)。對于異質結電池,由P-I-N結構及其表面的透明導電膜組成,這些結構都是通過外延的方法在硅片表面形成的結構。對于異質結的劃刻,必須切斷外延層,以及外延層兩邊的透明導電層。對于IBC等背結構電池,也可以通過生長高電阻的本征層,作為各部分的絕緣分割線。其特征在于通過劃刻,切斷電池片的P層、N層、P+層、N+層以及異質結電池的透明導電層,形成絕緣分割線,將整片電池通過絕緣線分割成多個部分。
3.根據權利2所述的要求,通過激光劃刻形成絕緣分割線。所劃刻的目的,是形成一條絕緣線或絕緣溝槽,絕緣溝槽阻隔了兩邊導電性較強的P層、N層、P+層、N+層以及異質結電池的透明導電層,絕緣溝槽下方是摻雜未接觸到的硅片部分。這部分硅片是淺摻雜的P型硅片或N型硅片,電阻率較高。為了更好隔絕導電層,可以增加絕緣溝槽的數目,形成1條或多條相鄰的絕緣溝槽。其特征在于,刻槽中劃刻掉電池中的導電層,形成絕緣的劃線或刻槽,可以由1條或多條相鄰的刻槽形成絕緣通道。通過這種絕緣劃線或絕緣通道,將整片電池片隔絕為多個獨立的部分(一般分為相等的部分),各部分之間電阻很大,認為是相互電氣絕緣。
4.根據權利1要求,利用激光穿孔技術,將絕緣分割后的各部分電池串聯起來。其特征是,通過孔的金屬化,連接電池被絕緣分割形成的相鄰部分區域的正負極,形成整片電池片內各個絕緣區塊的串聯。激光穿孔之后的金屬化,可以采用絲網印刷導電漿料,也可以采用電鍍,或用低熔合金填充等金屬化方法。
5.根據權利要求1,整片電池首先被絕緣分割成多個部分,再激光穿孔金屬化,將各部分串聯起來,形成片內串聯結構的電池。其特征是,電池片被平均絕緣分割為N部分(根據需求可以是2部分,3部分,4部分或更多),電池電流變為原來的N分之一,電壓變為原來電池的N倍。
6.根據權利要求1,本專利的特征在于將電池片絕緣分割為多個部分,然后將各部分的正負極串聯起來,對于正負極位于電池片兩側結構的電池,需要激光穿孔工藝,才能實現串聯;對于正負極全部位于電池片背面一側的IBC結構電池,不需要激光穿孔工藝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





