[發(fā)明專利]一種藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件及共源共柵結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310052768.2 | 申請日： | 2023-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN115863425A | 公開（公告）日： | 2023-03-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宋亮;朱廷剛;李亦衡 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/10;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人： | 王愛濤 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 藍(lán)寶石 襯底 gan hemt 器件 共源共柵 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件，其特征在于，包括：由上向下依次設(shè)置的藍(lán)寶石襯底、GaN HEMT層和電極層；所述電極層包括源極、柵極和漏極。
2.一種藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件的共源共柵結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：框架散熱基板、設(shè)置在所述框架散熱基板上的AlN陶瓷片以及均設(shè)置在所述AlN陶瓷片上的Si MOS和如權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件的共源共柵結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlN陶瓷片的數(shù)量為兩個，所述Si MOS設(shè)置在第一個AlN陶瓷片上，所述藍(lán)寶石襯底的GaNHEMT器件設(shè)置在第二個AlN陶瓷片上，所述AlN陶瓷片焊在所述框架散熱基板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件的共源共柵結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件與所述AlN陶瓷片上的金屬圖形連接，所述金屬圖形為通過濺射方式進(jìn)行金屬圖形化生成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件的共源共柵結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Si MOS通過銀漿、錫膏或?qū)崮z的方式焊在所述AlN陶瓷片上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件的共源共柵結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件的電極層與所述AlN陶瓷片上的金屬圖形連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件的共源共柵結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述藍(lán)寶石襯底的GaN HEMT器件的電極層通過植球的方式與所述AlN陶瓷片上的金屬圖形連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
