[發(fā)明專利]一種基于CMOS芯片的待機(jī)喚醒振蕩電路及電器設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310048928.6
• 申請(qǐng)日: 2023-02-01
• 公開（公告）號(hào): CN115987274A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張夢(mèng)龍;羅東向;汪煒喆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H03L3/00
• 分類號(hào): H03L3/00;H03B5/12;H03K23/00
• 代理公司: 深圳市創(chuàng)富知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44367
• 代理人: 梁嘉朗

本發(fā)明公開了一種基于CMOS芯片的待機(jī)喚醒振蕩電路及電器設(shè)備，包括待機(jī)喚醒電路、分頻電路、變壓器電路、整流管電路和放大器電路，其中，所述待機(jī)喚醒電路與放大器電路連接，所述放大器電路與整流管電路連接，所述整流管電路與分頻電路連接，所述分頻電路與變壓器電路連接。通過使用本發(fā)明，能夠通過控制尾電流源的電流值以實(shí)現(xiàn)喚醒功能并降低了電路的功耗，為導(dǎo)航芯片提供穩(wěn)定信號(hào)。本發(fā)明作為一種基于CMOS芯片的待機(jī)喚醒振蕩電路及電器設(shè)備，可廣泛應(yīng)用于待機(jī)喚醒電路技術(shù)領(lǐng)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及待機(jī)喚醒電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于CMOS芯片的待機(jī)喚醒振蕩電路及電器設(shè)備。

背景技術(shù)

待機(jī)喚醒電路是一種用于節(jié)約電路功耗的模塊，當(dāng)電路需要待機(jī)時(shí)，其中的主工作電路關(guān)斷，喚醒電路開啟，而喚醒電路的電壓一般遠(yuǎn)小于主電路工作電壓，故可以節(jié)約功耗。當(dāng)需要喚醒時(shí)，低壓副電源通過控制電路激活主電路使其重新開始工作，現(xiàn)階段常用的待機(jī)喚醒電路主要由電壓比較器或壓控元器件構(gòu)成，一種是通過比較器比較輸入電壓與參考電壓以決定是否要喚醒電路工作，另一種使用壓控發(fā)光二極管與光敏器件聯(lián)用以開啟電路，現(xiàn)有的喚醒電路的存在待機(jī)狀態(tài)下的靜止功耗偏高的問題，用發(fā)光二極管作為信號(hào)傳輸?shù)钠骷枰^高的工作電壓，但其喚醒電路的工作電壓一般可達(dá)5V，而比較器電路由于采用CMOS電路，工作電壓較低，但是其參考電位需要帶隙基準(zhǔn)電路提供依然具有可優(yōu)化的空間，此外由于導(dǎo)航芯片主電路需要提供交流信號(hào)，喚醒電路還需額外驅(qū)動(dòng)晶振電路，而晶振電路的工作電壓一般在3.3V，這不僅使得喚醒電路具有復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)還提升了電路的功耗水平。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種基于CMOS芯片的待機(jī)喚醒振蕩電路及電器設(shè)備，能夠通過控制尾電流源的電流值以實(shí)現(xiàn)喚醒功能并降低了電路的功耗，為導(dǎo)航芯片提供穩(wěn)定信號(hào)。

本發(fā)明所采用的第一技術(shù)方案是：一種基于CMOS芯片的待機(jī)喚醒振蕩電路，包括待機(jī)喚醒電路、分頻電路、變壓器電路、整流管電路和放大器電路，其中，所述待機(jī)喚醒電路與放大器電路連接，所述放大器電路與整流管電路連接，所述整流管電路與分頻電路連接，所述分頻電路與變壓器電路連接：

所述待機(jī)喚醒電路包括LC振蕩器回路和電流鏡回路；

所述電流鏡回路用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行縮放處理，所述LC振蕩器回路用于對(duì)縮放后的輸入信號(hào)進(jìn)行振蕩處理，輸出655.4MHz高頻正弦交流信號(hào)；

所述放大器電路用于對(duì)待機(jī)喚醒電路的高頻正弦交流信號(hào)進(jìn)行放大處理；

所述整流管電路用于對(duì)放大后的高頻正弦交流信號(hào)進(jìn)行整流處理；

所述分頻電路包括二分頻回路與五分頻回路；

所述分頻電路將整流后的高頻正弦交流信號(hào)進(jìn)行分頻處理，輸出32.77KHz的低頻振蕩信號(hào)，同時(shí)將模擬正弦信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字方波信號(hào)；

所述變壓器電路用于根據(jù)低頻振蕩信號(hào)將輔助供電電壓轉(zhuǎn)換成工作電壓并用于電子負(fù)載裝置的處理芯片。

進(jìn)一步，所述LC振蕩器回路和電流鏡回路包括PMOS晶體管M1、NMOS晶體管M2、NMOS晶體管M3、NMOS晶體管M4、NMOS晶體管M5、電容C1和電感L1，其中，所述PMOS晶體管M1、NMOS晶體管M2和NMOS晶體管M3組成電流鏡回路，NMOS晶體管M4、NMOS晶體管M5、電容C1和電感L1組成LC振蕩器回路。

進(jìn)一步，在電流鏡回路中，所述PMOS晶體管M1的柵極與輸入信號(hào)連接，所述PMOS晶體管M1的漏極與高電平連接，所述PMOS晶體管M1的源極、NMOS晶體管M2的漏極、NMOS晶體管M2的柵極和NMOS晶體管M3的柵極相連，所述NMOS晶體管M2的源極與NMOS晶體管M3的源極接地。