[發明專利]一種基于ARM總線提高RAM連續讀寫效率的方法在審
| 申請號： | 202310048071.8 | 申請日： | 2023-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN116049049A | 公開（公告）日： | 2023-05-02 |
| 發明（設計）人： | 崔炳磊;沈怪皓;潘靜;張景晨 | 申請（專利權）人： | 上海中基國威電子股份有限公司;廣州中基國威電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G06F13/16 | 分類號： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 上海匯齊專利代理事務所(普通合伙) 31364 | 代理人： | 陳燕 |
| 地址： | 200000 上海市浦東新區中國*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 arm 總線 提高 ram 連續 讀寫 效率 方法 | ||
1.一種基于ARM總線提高RAM連續讀寫效率的方法，其特征在于，包括如下所述步驟：
S1、增加寫操作緩沖器，在RAM接口模塊的基礎上，增加一組支持地址指針的寫操作緩沖器；
S2、數據保存，當遇到“先寫后讀”的連續訪問時，將RAM寫入的地址和數據保存在寫操作緩沖器內；
S3、判斷并執行相應操作，通過判斷寫入和讀取的訪問地址是否一致，來執行以下不同操作：
若寫入和讀取的是同一地址的RAM單元，則依然進行RAM寫入操作，將寫入數據作為讀取數據輸出到AHB(AXI)總線；
若寫入和讀取的是不同地址的RAM單元，則先進行讀取操作將讀取的數據輸出到總線，再通過保存在寫入操作緩沖器內的寫入信息，重新執行RAM寫入操作；
若“先寫后讀”中緊跟著多次連續讀取，且連續讀取的地址與寫入地址從未相同，則連續讀取的操作都將提前執行，直到連續讀取完成后重新執行RAM寫入操作；
若多次連續讀取中，存在某個讀取地址與寫入地址相同，則相同地址的讀取操作將被禁止，由寫入操作取代。
2.根據權利要求1所述的一種基于ARM總線提高RAM連續讀寫效率的方法，其特征在于，所述步驟S3中，若寫入和讀取的是同一地址的RAM單元，進行RAM寫入操作的同時，將寫入信息保存到寫入操作緩沖器內，并禁止讀取操作。
3.根據權利要求1所述的一種基于ARM總線提高RAM連續讀寫效率的方法，其特征在于，所述步驟S3中各種不同操作均為RAM接口模塊執行。
4.根據權利要求3所述的一種基于ARM總線提高RAM連續讀寫效率的方法，其特征在于，所述步驟S3中，若寫入和讀取的是不同地址的RAM單元，則實際RAM存儲器執行為“先讀后寫”操作。
5.根據權利要求1所述的一種基于ARM總線提高RAM連續讀寫效率的方法，其特征在于，所述步驟S3中，若“先寫后讀”中緊跟著多次連續讀取，且連續讀取的地址與寫入地址從未相同時，寫入信息持續保存在地址指針和數據緩沖器內。
6.根據權利要求1所述的一種基于ARM總線提高RAM連續讀寫效率的方法，其特征在于，所述步驟S3中，在多次連續讀取中，存在某個讀取地址與寫入地址相同時，將寫入數據作為讀取數據輸出到總線。
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