[發明專利]一種提升α-In2

在審

• 申請號: 202310047894.9
• 申請日: 2023-01-31
• 公開（公告）號: CN115985994A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 王金斌;羅云帆;侯鵬飛;鐘向麗
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09;H01L31/0304;H01L31/0216
• 代理公司: 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465
• 代理人: 李冉

本發明公開了一種提升α?Insubgt;2/subgt;Sesubgt;3/subgt;基二維光電探測器性能的方法，屬于光電響應探測領域。本發明通過由Arsupgt;2+/supgt;和CFsubgt;2/subgt;supgt;2+/supgt;組成的混合離子束對α?Insubgt;2/subgt;Sesubgt;3/subgt;基二維光電探測器施加輻照，發現功能Arsupgt;2+/supgt;離子在α?Insubgt;2/subgt;Sesubgt;3/subgt;中創造淺層能級空位的同時CFsubgt;2/subgt;supgt;2+/supgt;離子能夠鈍化α?Insubgt;2/subgt;Sesubgt;3/subgt;中深層能級空位，即兩種離子協同發揮各自的優勢，加快α?Insubgt;2/subgt;Sesubgt;3/subgt;基光電探測器的光響應速度，提升α?Insubgt;2/subgt;Sesubgt;3/subgt;基光電探測器的光電流；且本發明限定的方法簡單易行，具有很強的實用性。

技術領域

本發明屬于光電響應探測領域，具體涉及一種提升α-In₂Se₃基二維光電探測器性能的方法。

背景技術

光電探測器是將光信號轉換為電信號的一種器件，常用于工業安全、環境監測和光度測量等領域，在光通信系統中起著重要的作用，是實現高保真信號傳輸的關鍵。

二維材料α-In₂Se₃帶隙寬度在1.16～2.6eV之間，具有許多優異的特性，如無表面懸掛鍵、高柔性以及可以通過調節厚度改變帶隙寬度，這使得α-In₂Se₃作為光電材料的應用潛力巨大。然而α-In₂Se₃作為光電材料存在明顯優勢的同時，也存在如光生電流較小，載流子傳輸速度較慢的不足，這將限制α-In₂Se₃在光電領域中的應用。

因此，現急需要提供一種能夠提升α-In₂Se₃基二維光電探測器的光電性能以及快速響應能力的方法來克服現有技術中α-In₂Se₃作為光電材料存在的光生電流小，載流子傳輸速度慢的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種提升α-In₂Se₃基光電探測器性能的方法，該方法利用Ar²⁺在α-In₂Se₃中創造淺層能級空位的同時，CF₂²⁺能夠鈍化α-In₂Se₃中深層能級空位，兩種離子協同發揮作用，提高材料的光電導性能，加快α-In₂Se₃基光電探測器的光響應速度。為實現上述目的，本發明采用如下技術方案：

一種提升α-In₂Se₃基二維光電探測器性能的方法，所述方法為由Ar²⁺和CF₂²⁺組成的混合離子束輻照α-In₂Se₃基二維光電探測器。