[發明專利]一種提升α-In2 在審
| 申請號： | 202310047894.9 | 申請日： | 2023-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN115985994A | 公開（公告）日： | 2023-04-18 |
| 發明（設計）人： | 王金斌;羅云帆;侯鵬飛;鐘向麗 | 申請（專利權）人： | 湘潭大學 |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/0304;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提升 in base sub | ||
1.一種提升α-In2Se3基二維光電探測器性能的方法，其特征在于，所述方法為由Ar2+和CF22+組成的混合離子束輻照α-In2Se3基二維光電探測器。
2.根據權利要求1所述一種提升α-In2Se3基二維光電探測器性能的方法，其特征在于，所述Ar2+離子個數占混合離子束個數的60-80％。
3.根據權利要求1所述一種提升α-In2Se3基二維光電探測器性能的方法，其特征在于，所述混合離子束注量為3.5×1013～1.0×1014cm-2。
4.根據權利要求1所述一種提升α-In2Se3基二維光電探測器性能的方法，其特征在于，所述混合離子束能量為2.0～3.5keV。
5.根據權利要求1-4任一項所述一種提升α-In2Se3基二維光電探測器性能的方法，其特征在于，所述α-In2Se3基二維光電探測器包括：
襯底，
位于所述襯底上表面的功能層α-In2Se3，
及所述功能層α-In2Se3兩側分別設置左、右電極。
6.根據權利要求5所述一種提升α-In2Se3基二維光電探測器性能的方法，其特征在于，所述功能層α-In2Se3的厚度為1～200nm。
7.根據權利要求5所述一種提升α-In2Se3基二維光電探測器性能的方法，其特征在于，所述左、右電極均為金、銀、鉑、鉻、鋁、合金中的一種或多種組成。
8.根據權利要求5所述一種提升α-In2Se3基二維光電探測器性能的方法，其特征在于，所述襯底由硅襯底及包覆在所述硅襯底上方的SiO2絕緣層組成；
其中，所述SiO2絕緣層的厚度為100～300nm。
9.根據權利要求5所述一種提升α-In2Se3基二維光電探測器性能的方法，其特征在于，所述左、右電極間的間距為5～10μm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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