[發明專利]多通道射頻芯片結構

在審

• 申請號: 202310042579.7
• 申請日: 2023-01-13
• 公開（公告）號: CN116094536A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 戰吉超;李南
• 申請（專利權）人: 南京燧銳科技有限公司
• 主分類號: H04B1/40
• 分類號: H04B1/40;H04B1/04;H04B1/10
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 肖華

1.一種多通道射頻芯片結構，其特征在于，包括：

具有多個通道的射頻收發芯片，每個通道包括射頻發送通路和射頻接收通路，所述多個通道被分為多組通道；

多個去耦電容，每個去耦電容與相應的一組通道匹配配置，并且與該組通道并聯設置；

所述多個去耦電容與所述射頻收發芯片之間的距離均小于設定值，以使所述射頻收發芯片的關鍵性能滿足要求。

2.如權利要求1所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述設定值小于等于145um。

3.如權利要求1所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述多個去耦電容與所述射頻收發芯片之間的所述距離均大于等于130um。

4.如權利要求1所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述射頻收發芯片具有多個電源線，一組通道共用一個電源線用于與外部電源電連接，以使所述外部電源向該組通道供電；

與該組通道對應的去耦電容一端與共用的所述電源線電連接，一端接地。

5.如權利要求1所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，還包括基板，所述射頻收發芯片以及所述多個去耦電容均封裝于所述基板。

6.如權利要求5所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述多個去耦電容封裝于所述基板的表面或所述基板的內部。

7.如權利要求5所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述多個去耦電容與所述射頻收發芯片之間的所述距離均大于等于封裝工藝的加工工藝尺寸。

8.如權利要求5所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述射頻收發芯片以及所述多個去耦電容通過倒裝芯片線柵陣列或倒裝芯片球柵陣列的封裝工藝封裝于所述基板；

在所述基板的第一表面上設置基板走線，在所述基板的內部設置導電插塞，以使所述射頻收發芯片以及所述多個去耦電容彼此電連接；

在所述基板的與所述第一表面相對的第二表面上設置與所述導電插塞和所述基板走線電連接的封裝引腳，以使所述射頻收發芯片以及所述多個去耦電容分別與外部電源電連接。

9.如權利要求1所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述多組通道的組數至少為2，并且至多為通道數量。

10.如權利要求9所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述射頻收發芯片具有8、16或32個通道，8個通道被分為2組或4組，16個通道被分為2組或4組或8組，并且32個通道被分為4組或8組或16組。

11.如權利要求1所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述射頻發送通路包括放大器、射頻開關、功分網絡、移相器、衰減器、功率放大器和傳輸線；

所述射頻接收通路包括傳輸線、低噪聲放大器、移相器、衰減器、功分網絡、射頻開關和放大器。

12.如權利要求1所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述去耦電容設置在所述射頻收發芯片的周向邊緣，所述距離為所述去耦電容與所述射頻收發芯片周向邊緣的最短距離；

或者，所述去耦電容與所述射頻收發芯片上下具有重疊部分，所述距離為所述去耦電容與所述射頻收發芯片相對表面的垂直距離。

13.如權利要求6所述的多通道射頻芯片結構，其特征在于，所述基板用于設置在PCB板上，或所述基板為PCB板。