[發(fā)明專利]一種基于譜元法的神經(jīng)元動作電位傳導(dǎo)模擬方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310031514.2 | 申請日: | 2023-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN115952678A | 公開(公告)日: | 2023-04-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 洪榮漢;吳思遠(yuǎn);柳清伙 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門大學(xué) |
| 主分類號: | G06F30/20 | 分類號: | G06F30/20;G06N3/063 |
| 代理公司: | 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 馬應(yīng)森 |
| 地址: | 361005 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 譜元法 神經(jīng)元 動作電位 傳導(dǎo) 模擬 方法 | ||
1.一種基于譜元法的神經(jīng)元動作電位傳導(dǎo)模擬方法,其特征在于包括以下步驟:
1)神經(jīng)元模型輸入;
2)傳導(dǎo)方程的構(gòu)建:建立動作電位在單根神經(jīng)纖維中傳播的偏微分方程;
3)傳導(dǎo)方程求解:用步驟1)輸入的神經(jīng)元模型改變步驟2)建立的傳導(dǎo)方程的具體形態(tài),用譜元法求解出靜息電位;
4)根據(jù)時間迭代求得神經(jīng)元各點(diǎn)的電壓隨時間變化情況。
2.如權(quán)利要求1所述一種基于譜元法的神經(jīng)元動作電位傳導(dǎo)模擬方法,其特征在于在步驟1)中,所述神經(jīng)元模型輸入,是導(dǎo)入需要仿真的神經(jīng)元形態(tài)學(xué)參數(shù)、電參數(shù)、以及各點(diǎn)半徑大小,所述神經(jīng)元形態(tài)學(xué)參數(shù)包括神經(jīng)元各個分支的長度,分支間的連接方式,電參數(shù)包括各處的鈉離子、鉀離子、氯離子電導(dǎo)率,細(xì)胞質(zhì)耦合電阻。
3.如權(quán)利要求1所述一種基于譜元法的神經(jīng)元動作電位傳導(dǎo)模擬方法,其特征在于在步驟2)中,所述傳導(dǎo)方程的構(gòu)建的具體步驟為:
(1)設(shè)定好方程初始值以及外加刺激的輸入波形,刺激時間、位置、持續(xù)時間、刺激強(qiáng)度等后,將各分支構(gòu)建為單根的神經(jīng)纖維模型,并帶入各電參數(shù)和形態(tài)學(xué)參數(shù),由于在相鄰分支連接點(diǎn),電壓相等并且電壓對時間的偏導(dǎo)數(shù)相等,即將多個單根的神經(jīng)纖維連接到一起組成神經(jīng)元;
(2)當(dāng)神經(jīng)元處于靜息電位時,設(shè)置神經(jīng)元各點(diǎn)處電導(dǎo)率的初始值大小;
(3)進(jìn)入方程初始化,對各求解單元構(gòu)建單元矩陣,包括方程中的常數(shù)項、電壓的各階微分項、以及右端刺激項;得到所需要的單元矩陣后,將每個單元矩陣組裝在一起構(gòu)成全局矩陣,代入隨位置變化的模型參數(shù)并構(gòu)建待求解的矩陣方程;
(4)矩陣方程的求解結(jié)果的初始值為無刺激時各點(diǎn)出電壓大小,即靜息電位的值,接下來將方程的譜元法矩陣方程形式應(yīng)用時間中心差分,得到時間迭代方程,即等式左端為下一時刻電壓大小的相關(guān)項,而右端為當(dāng)前時刻電壓的相關(guān)項,做時間迭代即得到神經(jīng)元各點(diǎn)電壓隨時間的變化情況。
4.如權(quán)利要求1所述一種基于譜元法的神經(jīng)元動作電位傳導(dǎo)模擬方法,其特征在于在步驟3)中,所述傳導(dǎo)方程求解,首先構(gòu)建動作電位傳導(dǎo)的基礎(chǔ)方程,為電壓關(guān)于時間和位置的二階偏微分方程,再根據(jù)導(dǎo)入的外部模型設(shè)置方程中電參數(shù)和幾何參數(shù)大小;利用譜元法對二階偏微分方程進(jìn)行求解,具體為先求解無刺激時的靜息電位,再將靜息電位作為時間初始值并結(jié)合時間迭代法,迭代求解全部時刻得到神經(jīng)元上各點(diǎn)電壓隨時間的變化情況;
用譜元法求解出動作電位的電壓大小,應(yīng)用單元內(nèi)部GLL點(diǎn)插值的方法,使半徑變化更加平滑,使其更接近于真實(shí)情況;在單元內(nèi)部GLL點(diǎn)半徑的賦值上,實(shí)際模型采樣后,將真實(shí)采樣得到的半徑附加到單元的兩個端點(diǎn),根據(jù)單元內(nèi)部GLL點(diǎn)和單元端點(diǎn)的位置距離,線性插值得到半徑在GLL點(diǎn)處的大小,使半徑在單元內(nèi)部有一個比較平滑的變化。
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