[發(fā)明專利]一種高溫高壓下合成氟碳釓礦單晶的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310025522.6 | 申請(qǐng)日： | 2023-01-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN115928185A | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 范大偉;周文戈;許金貴 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院地球化學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào)： | C30B1/12 | 分類號(hào)： | C30B1/12;C30B1/10;C30B29/10 |
| 代理公司： | 北京盛詢知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11901 | 代理人： | 藺巍 |
| 地址： | 550081 貴州*** | 國(guó)省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高溫 壓下 合成 氟碳釓礦單晶 方法 | ||
1.一種合成氟碳釓礦單晶的方法，其特征在于，包括以下步驟：
將GdCl3、NaF和NaHCO3按照化學(xué)反應(yīng)摩爾劑量比混合，在壓力條件下，將得到的混合物在第一溫度、第二溫度和第三溫度下分別保溫45min，之后在第四溫度下保溫80-100h，得到所述氟碳釓礦單晶；
所述第一溫度為150-200℃，所述第二溫度為350-400℃，所述第三溫度為550-600℃；所述第四溫度為700-800℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的合成氟碳釓礦單晶的方法，其特征在于，所述壓力條件的壓力值為2.0GPa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的合成氟碳釓礦單晶的方法，其特征在于，常壓下，以0.5GPa/30min的升壓速率將壓力升至預(yù)設(shè)壓力值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的合成氟碳釓礦單晶的方法，其特征在于，所述GdCl3、NaF和NaHCO3的純度均99.99％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的合成氟碳釓礦單晶的方法，其特征在于，控制升溫速率為20℃/min，使溫度從第一溫度依次升溫至第二溫度、第三溫度、第四溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的合成氟碳釓礦單晶的方法，其特征在于，所述混合物的保溫過程在大腔體壓機(jī)中進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的合成氟碳釓礦單晶的方法，其特征在于，混合物置于高溫高壓合成組裝塊中；所述高溫高壓合成組裝塊包括作為傳壓介質(zhì)的葉蠟石、作為加熱爐的石墨管以及控溫用熱電偶。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的合成氟碳釓礦單晶的方法，其特征在于，所述熱電偶為K型熱電偶。
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