[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310010670.0
• 申請日: 2023-01-03
• 公開（公告）號: CN116193852A
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉曉陽
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層包括第一部以及位于所述第一部相對兩側(cè)的第二部，所述第一部向遠離所述第二部的方向彎折以彎折圍成開口；

第一柵極，所述第一柵極位于所述開口內(nèi)；

介質(zhì)層，所述介質(zhì)層位于所述第二部的至少一側(cè)表面；

其中，所述第一部用于構(gòu)成第一晶體管的第一溝道區(qū)，所述第一溝道區(qū)相對兩側(cè)的所述第二部用于構(gòu)成第一源極接觸區(qū)或第一漏極接觸區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層包括第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層位于所述第二部的表面，所述第二介質(zhì)層位于所述第一介質(zhì)層遠離所述第二部的表面，所述第一介質(zhì)層的致密度大于所述第二介質(zhì)層的致密度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料包括氮化硅，所述第二介質(zhì)層的材料包括氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵極包括第一柵介質(zhì)層和第一柵導(dǎo)電層，所述第一柵介質(zhì)層覆蓋所述開口的表面，所述第一柵導(dǎo)電層覆蓋所述第一柵介質(zhì)層表面且填充滿所述開口，所述第一柵介質(zhì)層的介電常數(shù)大于所述第二介質(zhì)層的介電常數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵介質(zhì)層的材料包括氧化鉿硅、氮氧化鉿硅、氧化鉿鉭、氧化鉿鈦、氧化鋯、氧化鋯或者氧化鈦中的至少其中一者。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層的材料包括銦鎵鋅氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個所述第一半導(dǎo)體層沿第一方向排列，且在沿所述第一方向上，每一所述第一半導(dǎo)體層包括至少包括兩個所述第一部，每一所述第一部的所述開口內(nèi)具有一所述第一柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個所述第一半導(dǎo)體層沿第二方向間隔排列，且在沿所述第二方向上，多個所述第一柵極相互連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個所述第一半導(dǎo)體層沿第一方向和第二方向陣列排布，相鄰的所述第一半導(dǎo)體層之間相互間隔，每一所述第一半導(dǎo)體層的所述開口內(nèi)具有一所述第一柵極；

其中，至少一個所述第一晶體管的所述第一柵極與另一所述第一晶體管的第一源極接觸區(qū)或者第一漏極接觸區(qū)電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

第二柵極，一端與所述第一源極接觸區(qū)或者第一漏極接觸區(qū)電連接，另一端沿遠離所述第一半導(dǎo)體層的方向延伸；

第二半導(dǎo)體層，位于所述第二柵極遠離所述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)表面，所述第二半導(dǎo)體層包括第三部以及位于所述第三部相對兩側(cè)的第四部，所述第三部覆蓋所述第二柵極的表面；其中，所述第三部用于構(gòu)成第二晶體管的第二溝道區(qū)，所述第四部用于構(gòu)成所述第二晶體管的第二源極接觸區(qū)或者第二漏極接觸區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層的材料與所述第一半導(dǎo)體層的材料相同。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管共同構(gòu)成存儲單元，所述存儲單元沿第一方向和第二方向陣列排布。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二柵極包括第二柵介質(zhì)層和第二柵導(dǎo)電層，所述第二柵導(dǎo)電層一端與所述第一源極接觸區(qū)或者所述第一漏極接觸區(qū)電連接，另一端沿遠離所述第一源極接觸區(qū)或者所述第一漏極接觸區(qū)的方向延伸，第二柵介質(zhì)層覆蓋所述第二柵導(dǎo)電層遠離所述第一源極接觸區(qū)或者第一漏極接觸區(qū)的一側(cè)表面，其中，不同的所述第二晶體管中的所述第二柵介質(zhì)層均處于同層，且邊緣延伸至相互連接。