[發(fā)明專(zhuān)利]涂敷膜形成方法、涂敷膜形成裝置和程序

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310009218.2
• 申請(qǐng)日: 2023-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116422550A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 橋本祐作;八木綱大;松竹勇貴
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): B05D1/00
• 分類(lèi)號(hào): B05D1/00;B05D3/04;B05D3/00;B05C9/14;B05C11/08;B05C9/10;B08B3/02;B05C13/02
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種涂敷膜形成方法，其特征在于，包括：

涂敷工序，其對(duì)基片的正面的中心部供給涂敷液，使所述基片旋轉(zhuǎn)以使所述涂敷液向該基片的周緣部擴(kuò)展而形成涂敷膜；

高溫氣體供給工序，其對(duì)旋轉(zhuǎn)的該基片的背面的露出區(qū)域的一部分，供給溫度比被供給了所述涂敷液的所述基片高的高溫氣體；

膜厚分布調(diào)整工序，其使所述基片以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)來(lái)調(diào)整所述基片的面內(nèi)的所述涂敷膜的膜厚分布；和

干燥工序，其在所述膜厚分布調(diào)整工序后，使該基片以與所述第一轉(zhuǎn)速不同的第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，來(lái)調(diào)整所述基片的整個(gè)面內(nèi)的該涂敷膜的膜厚來(lái)使之干燥，

其中，進(jìn)行所述干燥工序的期間包含停止向所述基片供給所述高溫氣體的期間。

2.如權(quán)利要求1所述的涂敷膜形成方法，其特征在于：

包括背面清洗工序，其在所述干燥工序之后，對(duì)旋轉(zhuǎn)的所述基片的背面的露出區(qū)域供給清洗液。

3.如權(quán)利要求2所述的涂敷膜形成方法，其特征在于：

所述高溫氣體供給工序包括從設(shè)置在氣體噴嘴的第一釋放口釋放所述高溫氣體的工序，

所述清洗工序包括從設(shè)置在清洗噴嘴的第二釋放口釋放所述清洗液的工序，

所述第一釋放口沿著所述高溫氣體的釋放方向投影到所述基片的背面而得到的第一投影區(qū)域，與所述第二釋放口沿著該清洗液的釋放方向投影到所述基片的背面而得到的第二投影區(qū)域相比，位于所述基片的旋轉(zhuǎn)方向上的下游側(cè)。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的涂敷膜形成方法，其特征在于：

所述高溫氣體供給工序包括從氣體噴嘴對(duì)所述基片的背面的露出區(qū)域釋放所述高溫氣體的工序，

所述高溫氣體的釋放方向順著所述基片的旋轉(zhuǎn)方向。

5.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的涂敷膜形成方法，其特征在于：

在對(duì)所述基片供給涂敷液之前，開(kāi)始對(duì)所述基片供給所述高溫氣體。

6.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的涂敷膜形成方法，其特征在于：

所述加熱工序包括從氣體噴嘴對(duì)所述基片的背面的露出區(qū)域釋放所述高溫氣體的工序，

所述涂敷工序、所述高溫氣體供給工序、所述膜厚分布工序和所述干燥工序是對(duì)載置于載置臺(tái)的所述基片進(jìn)行的工序，包括：

將多個(gè)所述基片依次輸送到該載置臺(tái)的工序；和

在與連續(xù)輸送到所述載置臺(tái)的一個(gè)基片與下一個(gè)基片的輸送間隔相應(yīng)的時(shí)刻，開(kāi)始進(jìn)行用于處理所述下一個(gè)基片的、來(lái)自所述氣體噴嘴的所述高溫氣體的釋放的工序。

7.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的涂敷膜形成方法，其特征在于：

所述高溫氣體供給工序包括從氣體噴嘴對(duì)所述基片的背面的露出區(qū)域釋放所述高溫氣體的工序，

設(shè)置有：下游端被連接到所述氣體噴嘴的氣體供給路徑；從該氣體供給路徑分支的分支路徑；和將所述高溫氣體的供給目標(biāo)在所述氣體噴嘴與所述分支路徑之間切換的切換部，

所述高溫氣體供給工序包括：利用所述切換部從對(duì)所述分支路徑供給所述高溫氣體的狀態(tài)切換成向所述氣體噴嘴供給所述高溫氣體的狀態(tài)的工序。

8.如權(quán)利要求7所述的涂敷膜形成方法，其特征在于：

所述涂敷工序、所述高溫氣體供給工序、所述膜厚分布調(diào)整工序和所述干燥工序是對(duì)載置在載置臺(tái)并且被杯狀體包圍的所述基片進(jìn)行的工序，

所述切換部設(shè)置在比所述杯狀體靠下方的高度。

9.如權(quán)利要求7所述的涂敷膜形成方法，其特征在于：

所述涂敷工序、所述高溫氣體供給工序、所述干燥工序是對(duì)載置在載置臺(tái)且被杯狀體包圍的所述基片進(jìn)行的工序，

所述氣體供給路徑包括在設(shè)置所述切換部的位置的上游側(cè)于左右方向上延伸并且相對(duì)于所述杯狀體排列在前后中的一方被設(shè)置的部位，

所述涂敷膜形成方法包括：將供給至所述分支路徑的所述高溫氣體，從與該分支路徑的下游端連接的杯狀體溫度調(diào)節(jié)噴嘴向所述部位與所述杯狀體之間的左右中的一方作為該杯狀體的溫度調(diào)節(jié)用氣體釋放的工序。