[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202310002803.X
• 申請日: 2023-01-03
• 公開（公告）號: CN116471834A
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 申讃優;姜赫鎮;李東煥;李全一;金珉宇;宋正宇
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 史泉;張川緒

提供半導體裝置。所述半導體裝置包括：位線結構，在基底上；下接觸塞，在基底的與位線結構鄰近的部分上；上接觸塞，包括下接觸塞上的第一金屬圖案和接觸第一金屬圖案的上表面和上側壁的第二金屬圖案；以及電容器，在上接觸塞上。第一金屬圖案的上表面相對于基底的上表面在位線結構的上表面上方。

本申請要求于2022年1月18日提交到韓國知識產權局的第10-2022-0007026號韓國專利申請的優先權，所述韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術領域

一些示例實施例涉及半導體裝置。例如，一些示例實施例涉及DRAM裝置。

背景技術

當DRAM裝置被生產時，下接觸塞可形成在位線結構之間，上接觸塞層可形成在下接觸塞上，并且上接觸塞層的上部可被部分地蝕刻以形成用作電容器的接地墊的上接觸塞。

隨著DRAM裝置的集成度增大，位線結構之間的距離可減小，因此用于蝕刻上接觸塞層以形成上接觸塞的工藝裕度可減小。

發明內容

一些示例實施例提供具有改善的特性的半導體裝置。

根據各種示例實施例，存在一種半導體裝置。所述半導體裝置可包括：位線結構，在基底上；下接觸塞，在基底的與位線結構鄰近的部分上；上接觸塞，包括下接觸塞上的第一金屬圖案和接觸第一金屬圖案的上表面和上側壁的第二金屬圖案；以及電容器，在上接觸塞上。第一金屬圖案的上表面可相對于基底的上表面高于位線結構的上表面或者在位線結構的上表面上方。

根據各種示例實施例，存在一種半導體裝置。所述半導體裝置可包括：位線結構，在基底上；下接觸塞，在基底的一部分上并且鄰近于位線結構；上接觸塞，在下接觸塞上并且包括第一金屬圖案、覆蓋第一金屬圖案的下表面和下側壁的阻擋圖案，上接觸塞還包括接觸第一金屬圖案的上表面和上側壁以及阻擋圖案的上表面的第二金屬圖案；以及電容器，在上接觸塞上。阻擋圖案的上表面可以是平面的。

根據一些示例實施例，存在一種半導體裝置。所述半導體裝置可包括：有源圖案，在基底上；柵極結構，掩埋在有源圖案的上部中，并且在與基底的上表面平行的第一方向上延伸；位線結構，在有源圖案的中心上表面上，并且在與基底的上表面平行并且與第一方向垂直的第二方向上延伸；間隔結構，在位線結構的側壁上；接觸塞結構，在有源圖案的相對端部中的每個上；以及電容器或其他存儲器結構，在接觸塞結構上。接觸塞結構可包括：下接觸塞；金屬硅化物圖案，在下接觸塞上；阻擋圖案，在金屬硅化物圖案上；第一金屬圖案，第一金屬圖案的下表面和下側壁由阻擋圖案覆蓋；和第二金屬圖案，接觸第一金屬圖案的上表面和上側壁以及位線結構和間隔結構的上表面。第一金屬圖案的上表面可相對于基底的上表面高于位線結構的上表面或者在位線結構的上表面上方。

在根據各種示例實施例的生產半導體裝置的方法中，位線結構之間的分別電連接到電容器的上接觸塞可通過在下接觸塞上形成下金屬圖案并且通過大馬士革工藝形成上金屬圖案以接觸下金屬圖案的上表面和上側壁而被制造。因此，用作接地墊的上金屬圖案和電連接到源極/漏極區域的下接觸塞上的下金屬圖案可不彼此間隔開，而是可彼此良好地連接。

附圖說明

圖1至圖18是示出根據各種示例實施例的生產半導體裝置的方法的平面圖和截面圖。

圖19和圖20是示出根據各種示例實施例的生產半導體裝置的方法的截面圖。

具體實施方式