[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310002803.X | 申請(qǐng)日： | 2023-01-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN116471834A | 公開（公告）日： | 2023-07-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 申讃優(yōu);姜赫鎮(zhèn);李東煥;李全一;金珉宇;宋正宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H10B12/00 | 分類號(hào)： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 史泉;張川緒 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
位線結(jié)構(gòu)，在基底上；
下接觸塞，在基底的與位線結(jié)構(gòu)鄰近的部分上；
上接觸塞，包括下接觸塞上的第一金屬圖案和接觸第一金屬圖案的上表面和上側(cè)壁的第二金屬圖案；以及
電容器，在上接觸塞上，
其中，第一金屬圖案的上表面相對(duì)于基底的上表面在位線結(jié)構(gòu)的上表面上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一金屬圖案的上表面是平坦的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
阻擋圖案，覆蓋第一金屬圖案的下表面和下側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二金屬圖案的下表面接觸阻擋圖案的上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，阻擋圖案的上表面具有恒定高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
間隔結(jié)構(gòu)，在位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，
其中，第二金屬圖案的下表面接觸位線結(jié)構(gòu)的上表面和間隔結(jié)構(gòu)的上表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二金屬圖案具有上部和下部，上部具有第一寬度，并且下部具有比第一寬度大的第二寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，位線結(jié)構(gòu)包括堆疊在基底上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和絕緣結(jié)構(gòu)。
9.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
位線結(jié)構(gòu)，在基底上；
下接觸塞，在基底的與位線結(jié)構(gòu)鄰近的部分上；
上接觸塞，包括下接觸塞上的第一金屬圖案、覆蓋第一金屬圖案的下表面和下側(cè)壁的阻擋圖案、和接觸第一金屬圖案的上表面和上側(cè)壁以及阻擋圖案的上表面的第二金屬圖案；以及
電容器，在上接觸塞上，
其中，阻擋圖案的上表面是平面的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一金屬圖案的上表面是平坦的。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
間隔結(jié)構(gòu)，在位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，
其中，第二金屬圖案的下表面接觸位線結(jié)構(gòu)的上表面和間隔結(jié)構(gòu)的上表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二金屬圖案具有上部和下部，上部具有第一寬度，下部具有比第一寬度大的第二寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一金屬圖案的上表面相對(duì)于基底的上表面在位線結(jié)構(gòu)的上表面上方。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，位線結(jié)構(gòu)包括堆疊在基底上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和絕緣結(jié)構(gòu)。
15.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
有源圖案，在基底上；
柵極結(jié)構(gòu)，掩埋在有源圖案的上部中，柵極結(jié)構(gòu)在與基底的上表面平行的第一方向上延伸；
位線結(jié)構(gòu)，在有源圖案的中心上表面上，并且在與基底的上表面平行并且與第一方向垂直的第二方向上延伸；
間隔結(jié)構(gòu)，在位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；
接觸塞結(jié)構(gòu)，在有源圖案的相對(duì)端部中的每個(gè)上；以及
電容器，在接觸塞結(jié)構(gòu)上，
其中，接觸塞結(jié)構(gòu)包括：
下接觸塞，
金屬硅化物圖案，在下接觸塞上，
阻擋圖案，在金屬硅化物圖案上，
第一金屬圖案，第一金屬圖案的下表面和下側(cè)壁由阻擋圖案覆蓋；和
第二金屬圖案，接觸第一金屬圖案的上表面和上側(cè)壁以及位線結(jié)構(gòu)和間隔結(jié)構(gòu)的上表面，并且
其中，第一金屬圖案的上表面相對(duì)于基底的上表面在位線結(jié)構(gòu)的上表面上方。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電子株式會(huì)社，未經(jīng)三星電子株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310002803.X/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
