[發明專利]三維存儲器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202280001064.6
• 申請日: 2022-04-01
• 公開（公告）號: CN114730769A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 張坤;劉磊;楊濤;吳林春;周文犀;夏志良;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582;H01L25/18
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

1.一種三維(3D)存儲器件，包括：

堆疊結構，包括交錯的電介質層和導電層；

溝道結構，在所述堆疊結構中延伸；以及

摻雜半導體層，布置在所述堆疊結構上，其中，所述摻雜半導體層覆蓋所述堆疊結構和所述溝道結構的端部，并且所述溝道結構包括具有摻雜溝道層的溝道層。

2.一種三維(3D)存儲器件，包括：

第一半導體結構，包括：

堆疊結構，包括交錯的電介質層和導電層；

溝道結構，在所述堆疊結構中延伸；以及

摻雜半導體層，布置在所述堆疊結構上，其中，所述摻雜半導體層覆蓋所述堆疊結構和所述溝道結構的端部，并且所述溝道結構包括具有摻雜溝道層的溝道層；以及

第二半導體結構，鍵合到所述第一半導體結構。

3.如權利要求1或2所述的3D存儲器件，其中，所述摻雜溝道層的端部在所述摻雜半導體層中延伸。

4.如權利要求1-3中任一項所述的3D存儲器件，其中，所述摻雜溝道層的摻雜濃度和所述摻雜半導體層的摻雜濃度相同。

5.如權利要求1-4中任一項所述的3D存儲器件，其中，所述摻雜溝道層的摻雜濃度和所述摻雜半導體層的摻雜濃度均在10¹³cm^-3和10²³cm^-3之間。

6.如權利要求1-5中任一項所述的3D存儲器件，其中，所述摻雜溝道層包括至少兩個不同摻雜濃度的部分。

7.如權利要求6所述的3D存儲器件，其中，所述摻雜溝道層包括第一摻雜部分和第二摻雜部分，所述第一摻雜部分的摻雜濃度高于所述第二摻雜部分的摻雜濃度。

8.如權利要求1-7中任一項所述的3D存儲器件，其中，所述摻雜溝道層從所述溝道結構的所述端部延伸到與所述交錯導電層的第一最上導電層、所述交錯導電層的第二最上導電層或所述交錯導電層的第三最上導電層的位置橫向對應的位置。

9.如權利要求1-8中任一項所述的3D存儲器件，其中，在所述堆疊結構中延伸的所述溝道結構還包括儲存膜，所述儲存膜至少部分地圍繞所述溝道層，并且所述儲存膜包括由內向外徑向布置的隧穿層、儲存層和阻擋層。

10.如權利要求1-9中任一項所述的3D存儲器件，還包括：

第一接觸部；以及

所述摻雜半導體層中的第二接觸部，其中，所述第一接觸部與外圍接觸部的端部接觸，并且所述第二接觸部電連接到所述溝道層。

11.如權利要求2-10中任一項所述的3D存儲器件，其中，所述第一半導體結構還包括第一鍵合層，其中，所述第二半導體結構包括：

外圍電路；以及

第二鍵合層，其中，所述第一半導體結構和所述第二半導體結構通過所述第一鍵合層和所述第二鍵合層鍵合。

12.一種系統，包括：

存儲系統，包括：

一個或多個如權利要求1-11中任一項所述的三維(3D)存儲器件；以及

存儲器控制器，被配置為控制所述3D存儲器件的操作；以及

主機，被配置為向所述3D存儲器件發送數據或從所述3D存儲器件接收數據。