[實用新型]射頻消融碳化硅電極及射頻消融裝置有效
| 申請號： | 202223578337.X | 申請日： | 2022-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN219557533U | 公開（公告）日： | 2023-08-22 |
| 發明（設計）人： | 李碧波;蔡雄飛;汪之涵 | 申請（專利權）人： | 深圳基本半導體有限公司 |
| 主分類號： | A61B18/14 | 分類號： | A61B18/14 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知識產權代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾昭毅 |
| 地址： | 518118 廣東省深圳市坪山區坑梓街道辦*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 射頻 消融 碳化硅 電極 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種射頻消融碳化硅電極，其特征在于，包括：
電極主體，所述電極主體的端部設有內鏡；
碳化硅半導體器件，與所述內鏡位于所述電極主體的同一端部并設置于所述內鏡上，所述碳化硅半導體器件用于射頻消融。
2.如權利要求1所述的射頻消融碳化硅電極，其特征在于，所述電極主體的外徑為3～5mm。
3.如權利要求2所述的射頻消融碳化硅電極，其特征在于，所述碳化硅半導體器件為透明材質，所述碳化硅半導體器件作為所述內鏡的物鏡。
4.如權利要求1所述的射頻消融碳化硅電極，其特征在于，所述射頻消融碳化硅電極還包括測溫熱電偶，所述測溫熱電偶與所述碳化硅半導體器件電連接。
5.如權利要求1所述的射頻消融碳化硅電極，其特征在于，所述電極主體的周向外壁上設有絕緣層。
6.如權利要求5所述的射頻消融碳化硅電極，其特征在于，沿著所述電極主體的長度方向，所述絕緣層上還設有刻度線。
7.如權利要求1所述的射頻消融碳化硅電極，其特征在于，所述碳化硅半導體器件為方形、圓形或正多邊形。
8.一種射頻消融裝置，其特征在于，包括如權利要求1至7中任一項所述的射頻消融碳化硅電極。
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