[實用新型]射頻消融碳化硅電極及射頻消融裝置

有效

• 申請號: 202223578337.X
• 申請日: 2022-12-30
• 公開（公告）號: CN219557533U
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 李碧波;蔡雄飛;汪之涵
• 申請（專利權）人: 深圳基本半導體有限公司
• 主分類號: A61B18/14
• 分類號: A61B18/14
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產權代理有限公司 44311
• 代理人: 曾昭毅

本申請提供了一種射頻消融碳化硅電極及射頻消融裝置，包括電極主體和碳化硅半導體器件，所述電極主體的端部設有內鏡，碳化硅半導體器件與所述內鏡位于所述電極主體的同一端部并設置于所述內鏡上，碳化硅半導體器件用于射頻消融。在本申請中，碳化硅半導體器件作為消融電極，替代現有的金屬射頻電極或其它復合材料制備的電極，能夠提高射頻消融電極的精準性和設計性，降低手術并發癥發生的概率。同時，本申請將碳化硅半導體器件與內鏡鏡頭進行集成化/或單獨安裝在內鏡鏡頭上，利用碳化硅半導體器件的高光學透明性及良好的生物相容性材料，在可視化下直接進行射頻消融，實時控制消融面積并快速反饋消融情況，有效降低手術并發癥，減少手術時間。

技術領域

本申請涉及射頻消融技術領域，尤其涉及一種射頻消融碳化硅電極及射頻消融裝置。

背景技術

微創射頻消融術，是指在內鏡直視下或其他方式(如放射、B超、磁導航等)引導下,將不同類型射頻消融電極放置于消化道扁平黏膜病變處/心肌電信號異常處/體內其他異常組織處(腫瘤、息肉等)，通過射頻電流產生凝固壞死而消除病變的一種微創治療技術。常用于消化道(胃腸鏡)、呼吸道(喉鏡、纖支鏡)、骨椎間孔內鏡/關節內鏡微創手術、心血管微創介入手術、腫瘤微創消融治療手術、婦科生殖道消融手術等。現有的射頻消融手術多使用針狀或圓柱狀消融設備，存在很多手術并發癥，如：損傷正常組織、感染、凝血性壞死、組織燒焦等。

實用新型內容

有鑒于此，本申請提供一種射頻消融碳化硅電極及射頻消融裝置，用以解決以上問題。

本申請提供了一種射頻消融碳化硅電極，包括電極主體和碳化硅半導體器件，所述電極主體的端部設有內鏡，碳化硅半導體器件與所述內鏡位于所述電極主體的同一端部并設置于所述內鏡上，所述碳化硅半導體器件用于射頻消融。

在一些可能的實施方式中，所述電極主體的外徑為3～5mm。

在一些可能的實施方式中，所述碳化硅半導體器件為透明材質，所述碳化硅半導體器件作為所述內鏡的物鏡。

在一些可能的實施方式中，所述射頻消融碳化硅電極還包括測溫熱電偶，所述測溫熱電偶與所述碳化硅半導體器件電連接。

在一些可能的實施方式中，所述電極主體的周向外壁上設有絕緣層。

在一些可能的實施方式中，沿著所述電極主體的長度方向，所述絕緣層上還設有刻度線。

在一些可能的實施方式中，所述碳化硅半導體器件為方形、圓形或正多邊形。

本申請還提供一種射頻消融裝置，包括所述的射頻消融碳化硅電極。

本申請中，碳化硅半導體器件作為消融電極，替代現有的金屬射頻電極或其它復合材料制備的電極，能夠提高射頻消融電極的精準性和設計性，降低手術并發癥發生的概率，從而減少病人的病痛。同時，相較于現有技術中不同形狀的(如針狀、環狀等)射頻消融探頭，本申請將碳化硅半導體器件與內鏡鏡頭進行集成化/或單獨安裝在內鏡鏡頭上，利用碳化硅半導體器件的高光學透明性及良好的生物相容性材料，在可視化下直接進行射頻消融，實時控制消融面積并快速反饋消融情況，有效降低手術并發癥，減少手術時間。

附圖說明

圖1為本申請實施例提供的一種射頻消融碳化硅電極的結構示意圖。

圖2為圖1所示的碳化硅半導體器件制備過程中，碳化硅形成于硅表面的截面結構示意圖。

圖3為圖2所示一實施例中玻璃層涂覆于碳化硅背離硅表面，并除去硅基底的截面結構示意圖。

圖4為圖3所示一實施例中硅基底背離玻璃層的表面沉積鋁層的截面結構示意圖。

圖5為圖4所示一實施例中蝕刻部分碳化硅，并涂覆聚酰亞胺薄膜的截面結構示意圖。

圖6為圖1所示的應用射頻消融碳化硅電極的射頻消融裝置的結構示意圖。