[實用新型]一種Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結構

有效

• 申請號: 202223571854.4
• 申請日: 2022-12-27
• 公開（公告）號: CN219267406U
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 周保平;劉博文;李鑫;林云;周維娜
• 申請（專利權）人: 包頭市英思特稀磁新材料股份有限公司
• 主分類號: H01F7/02
• 分類號: H01F7/02
• 代理公司: 北京細軟智谷知識產權代理有限責任公司 11471
• 代理人: 劉迪

本實用新型提供了一種Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結構，涉及海爾貝克磁鐵陣列技術領域，所述Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結構包括沿直線依次排列的第一磁體、第一磁組、第二磁體和第二磁組，第一磁體的充磁方向為水平向左，第一磁組包括充磁方向向下傾斜設置的第一左單磁體和第一右單磁體，第一左單磁體和第一右單磁體的充磁方向軸對稱，第二磁體的充磁方向為水平向右，第二磁組包括充磁方向向上傾斜設置的第二左單磁體和第二右單磁體，第二左單磁體和第二右單磁體的充磁方向軸對稱；本實用新型為直線型海爾貝克磁鐵陣列，可在不更換牌號，不加大磁體總體積的前提下，實現磁鐵陣列表面磁通密度的顯著提高。

技術領域

本實用新型涉及直線型Halbach陣列磁鐵技術領域，具體涉及一種Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結構。

背景技術

HalbachArray(海爾貝克磁鐵陣列)是一種超強磁鐵結構，是一種經過設計的近乎理想的磁體結構，目的是用最少的磁鐵產生最強的磁場。1979年，美國科學家克勞斯·哈爾巴赫KlausHalbach在實驗電子加速實驗時，制造出了這種特殊的永磁鐵結構并逐漸完善，最終形成了海爾貝克磁鐵陣列，如今，海爾貝克磁鐵陣列被廣泛用在3C電子產品、智慧家具等領域。

現有的直線型海爾貝克磁鐵陣列，如圖3所示，其由四個長寬高尺寸相同的單磁體沿直線方向排列而成，四個單磁體其充磁方向依次為“水平向左”、“豎直向下”、“水平向右”及“豎直向上”。現有的直線型Halbach(海爾貝克)磁鐵排列方式其磁通密度有限，若需提升其表面磁通密度，現有方式通常會更換釹鐵硼磁鋼的牌號，如此會增大磁組件的成本，不利于市場推廣。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結構，以解決現有技術中存在的現有直線型海爾貝克磁鐵陣列其表面磁通密度較低的技術問題；本實用新型提供的諸多技術方案中的優選技術方案所能產生的諸多技術效果；詳見下文闡述。

為實現上述目的，本實用新型提供了以下技術方案：

本實用新型提供的一種Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結構，包括沿直線依次排列的第一磁體、第一磁組、第二磁體和第二磁組，其中：所述第一磁體的充磁方向為水平向左；所述第一磁組包括充磁方向向下傾斜設置的第一左單磁體和第一右單磁體，所述第一左單磁體的充磁方向和所述第一右單磁體的充磁方向軸對稱；所述第二磁體的充磁方向為水平向右；所述第二磁組包括充磁方向向上傾斜設置的第二左單磁體和第二右單磁體，所述第二左單磁體的充磁方向和所述第二右單磁體的充磁方向軸對稱。

優選地，所述第一磁體的長寬高尺寸、所述第一磁組的長寬高尺寸、所述第二磁體的長寬高尺寸和所述第二磁組的長寬高尺寸相同。

優選地，所述第一左單磁體的長寬高尺寸和所述第一右單磁體的長寬高尺寸相同。

優選地，所述第二左單磁體的長寬高尺寸和所述第二右單磁體的長寬高尺寸相同。

優選地，所述第一左單磁體的充磁方向向左下方傾斜設置；所述第一左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為銳角。

優選地，所述第一左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為20°。

優選地，所述第二左單磁體的充磁方向向右上方傾斜設置；所述第二左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為銳角。

優選地，所述第二左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為20°。

優選地，所述第一磁體、所述第一左單磁體、所述第一右單磁體、所述第二磁體、所述第二左單磁體和所述第二右單磁體均為釹鐵硼磁體。

優選地，所述第一磁體、所述第一左單磁體、所述第一右單磁體、所述第二磁體、所述第二左單磁體和所述第二右單磁體的牌號相同。