[實(shí)用新型]一種Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202223571854.4 | 申請(qǐng)日: | 2022-12-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN219267406U | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周保平;劉博文;李鑫;林云;周維娜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 包頭市英思特稀磁新材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01F7/02 | 分類號(hào): | H01F7/02 |
| 代理公司: | 北京細(xì)軟智谷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11471 | 代理人: | 劉迪 |
| 地址: | 014000 內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市包頭稀土高新*** | 國(guó)省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 halbach 組件 提升 表面 密度 排列 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,包括沿直線依次排列的第一磁體、第一磁組、第二磁體和第二磁組,其中:
所述第一磁體的充磁方向?yàn)樗较蜃螅?/p>
所述第一磁組包括充磁方向向下傾斜設(shè)置的第一左單磁體和第一右單磁體,所述第一左單磁體的充磁方向和所述第一右單磁體的充磁方向軸對(duì)稱;
所述第二磁體的充磁方向?yàn)樗较蛴遥?/p>
所述第二磁組包括充磁方向向上傾斜設(shè)置的第二左單磁體和第二右單磁體,所述第二左單磁體的充磁方向和所述第二右單磁體的充磁方向軸對(duì)稱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一磁體的長(zhǎng)寬高尺寸、所述第一磁組的長(zhǎng)寬高尺寸、所述第二磁體的長(zhǎng)寬高尺寸和所述第二磁組的長(zhǎng)寬高尺寸相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一左單磁體的長(zhǎng)寬高尺寸和所述第一右單磁體的長(zhǎng)寬高尺寸相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二左單磁體的長(zhǎng)寬高尺寸和所述第二右單磁體的長(zhǎng)寬高尺寸相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一左單磁體的充磁方向向左下方傾斜設(shè)置;
所述第一左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為銳角。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為20°。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二左單磁體的充磁方向向右上方傾斜設(shè)置;
所述第二左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為銳角。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為20°。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一磁體、所述第一左單磁體、所述第一右單磁體、所述第二磁體、所述第二左單磁體和所述第二右單磁體均為釹鐵硼磁體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一磁體、所述第一左單磁體、所述第一右單磁體、所述第二磁體、所述第二左單磁體和所述第二右單磁體的牌號(hào)相同。
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