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[實(shí)用新型]一種Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu)有效

專利信息
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> 202223571854.4 申請(qǐng)日: 2022-12-27
公開(kāi)(公告)號(hào): CN219267406U 公開(kāi)(公告)日: 2023-06-27
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: 周保平;劉博文;李鑫;林云;周維娜 申請(qǐng)(專利權(quán))人: 包頭市英思特稀磁新材料股份有限公司
主分類號(hào): H01F7/02 分類號(hào): H01F7/02
代理公司: 北京細(xì)軟智谷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11471 代理人: 劉迪
地址: 014000 內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市包頭稀土高新*** 國(guó)省代碼: 內(nèi)蒙古;15
權(quán)利要求書(shū): 查看更多 說(shuō)明書(shū): 查看更多
摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 一種 halbach 組件 提升 表面 密度 排列 結(jié)構(gòu)
【權(quán)利要求書(shū)】:

1.一種Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,包括沿直線依次排列的第一磁體、第一磁組、第二磁體和第二磁組,其中:

所述第一磁體的充磁方向?yàn)樗较蜃螅?/p>

所述第一磁組包括充磁方向向下傾斜設(shè)置的第一左單磁體和第一右單磁體,所述第一左單磁體的充磁方向和所述第一右單磁體的充磁方向軸對(duì)稱;

所述第二磁體的充磁方向?yàn)樗较蛴遥?/p>

所述第二磁組包括充磁方向向上傾斜設(shè)置的第二左單磁體和第二右單磁體,所述第二左單磁體的充磁方向和所述第二右單磁體的充磁方向軸對(duì)稱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一磁體的長(zhǎng)寬高尺寸、所述第一磁組的長(zhǎng)寬高尺寸、所述第二磁體的長(zhǎng)寬高尺寸和所述第二磁組的長(zhǎng)寬高尺寸相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一左單磁體的長(zhǎng)寬高尺寸和所述第一右單磁體的長(zhǎng)寬高尺寸相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二左單磁體的長(zhǎng)寬高尺寸和所述第二右單磁體的長(zhǎng)寬高尺寸相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一左單磁體的充磁方向向左下方傾斜設(shè)置;

所述第一左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為銳角。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為20°。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二左單磁體的充磁方向向右上方傾斜設(shè)置;

所述第二左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為銳角。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二左單磁體的充磁方向與豎直方向的夾角為20°。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一磁體、所述第一左單磁體、所述第一右單磁體、所述第二磁體、所述第二左單磁體和所述第二右單磁體均為釹鐵硼磁體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Halbach磁組件提升表面磁通密度的排列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一磁體、所述第一左單磁體、所述第一右單磁體、所述第二磁體、所述第二左單磁體和所述第二右單磁體的牌號(hào)相同。

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