[實用新型]一種高對比度的LED器件的發光結構

有效

• 申請號: 202223552667.1
• 申請日: 2022-12-28
• 公開（公告）號: CN219419070U
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 溫紹飛;萬垂銘;林仕強;羅昕穗;曾照明;肖國偉
• 申請（專利權）人: 廣東晶科電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/60;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 羅毅萍;李小林

本實用新型公開了一種高對比度的LED器件的發光結構，包括基板、若干芯片、熒光層、反射層和填充層；熒光層覆蓋在芯片上方并形成獨立的發光單元，反射層包裹在發光單元外周壁，反射層包括金屬層和鋪設在金屬層內外表面的介質層，若干發光單元矩陣排列設置在基板上，相鄰兩發光單元之間存在間隙，間隙處設有填充層。本實用新型的高對比度的LED器件的發光結構及其制作方法中，具有LED器件出光效率高、對比度高的優點。

技術領域

本實用新型屬于LED器件技術領域，具體涉及一種高對比度的LED器件的發光結構。

背景技術

隨著陣列式集成LED的發展，如何獲得高分辨率，高對比度特性的LED器件成為當下行業的研究趨勢，更高分辨率意味著更小的像素間距，相鄰發光元素的光串擾和光溢出會大幅度地降低器件對比度及均勻性。

現有的高對比度的LED器件是將多個芯片進行獨立封裝成LED后再貼裝在PCB板上，而貼裝后不同像素之間間距較大，較難實現高分辨率像素顯示，出光不均勻；現有的LED器件直接填充黑色遮光材料，由于黑色材料的吸光作用，導致最終的封裝亮度大幅度下降；如果通過改變填充層的結構形態,采用多層結構，可以實現對光進行阻擋并且提高出光效率，但對于小間距多像素來說，多層結構較難普及，實用性不高。

因此，針對現有技術的不足提供一種高對比度的LED器件的發光結構。

實用新型內容

為解決現有技術中的上述問題，本實用新型提供了一種高對比度的LED器件的發光結構及其制作方法，旨在解決LED器件出光效率低、對比度低的問題。

本實用新型采用了以下技術方案：

一種高對比度的LED器件的發光結構，包括基板、若干芯片、熒光層、反射層和填充層；所述熒光層覆蓋在所述芯片上方并形成獨立的發光單元，所述反射層包裹在所述發光單元外周壁，所述反射層包括金屬層和鋪設在所述金屬層內外表面的介質層，若干所述發光單元矩陣排列設置在所述基板上，相鄰兩所述發光單元之間存在間隙，所述間隙處設有填充層。

作為本實用新型技術方案的進一步改進，所述芯片遠離所述熒光層的一端還設有n電極和p電極，所述n電極和p電極與所述基板對應電極焊盤焊接連接。

作為本實用新型技術方案的進一步改進，所述熒光層呈上層窄、下層寬結構，所述熒光層下端面與所述芯片上端面抵接配合，所述熒光層下層橫截面積大于所述芯片橫截面積。

作為本實用新型技術方案的進一步改進，所述反射層遠離所述基板的一端設有出光口，所述出光口與所述熒光層上端面重疊設置。

作為本實用新型技術方案的進一步改進，所述金屬層包括單層金屬層結構和多層金屬層結構，多層所述金屬層結構由若干所述金屬層疊加形成。

作為本實用新型技術方案的進一步改進，單層所述金屬層結構包括全包裹狀態和半包裹狀態；

處于全包裹狀態時，所述金屬層環向包裹住所述熒光層和芯片，所述金屬層遠離所述出光口的下端面與所述芯片下端面處于同一水平面；

處于半包裹狀態時，所述金屬層環向包裹住所述熒光層，所述金屬層遠離所述出光口的下端面與所述熒光層下端面處于同一水平面。

作為本實用新型技術方案的進一步改進，多層所述金屬層結構僅包括全包裹狀態；

處于全包裹狀態時，第一層所述金屬層環向包裹住所述熒光層和芯片，第二層所述金屬層環向包裹住第一層所述金屬層的外層壁......第n層所述金屬層環向包裹住第n-1層所述金屬層的外層壁。

作為本實用新型技術方案的進一步改進，所述金屬層采用Al，Ag，Au，Pt，Rh的一種或幾種金屬構成，所述單層金屬層和多層金屬層利用蒸鍍、濺射、離子鍍等工藝獲得。