[實用新型]一種高對比度的LED器件的發光結構

有效

• 申請號: 202223552667.1
• 申請日: 2022-12-28
• 公開（公告）號: CN219419070U
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 溫紹飛;萬垂銘;林仕強;羅昕穗;曾照明;肖國偉
• 申請（專利權）人: 廣東晶科電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/60;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 羅毅萍;李小林

1.一種高對比度的LED器件的發光結構，其特征在于：包括基板、若干芯片、熒光層、反射層和填充層；所述熒光層覆蓋在所述芯片上方并形成獨立的發光單元，所述反射層包裹在所述發光單元外周壁，所述反射層包括金屬層和鋪設在所述金屬層內外表面的介質層，若干所述發光單元矩陣排列設置在所述基板上，相鄰兩所述發光單元之間存在間隙，所述間隙處設有填充層。

2.根據權利要求1所述的高對比度的LED器件的發光結構，其特征在于：所述芯片遠離所述熒光層的一端還設有n電極和p電極，所述n電極和p電極與所述基板對應電極焊盤焊接連接。

3.根據權利要求1所述的高對比度的LED器件的發光結構，其特征在于：所述熒光層呈上層窄、下層寬結構，所述熒光層下端面與所述芯片上端面抵接配合，所述熒光層下層橫截面積大于所述芯片橫截面積。

4.根據權利要求1所述的高對比度的LED器件的發光結構，其特征在于：所述反射層遠離所述基板的一端設有出光口，所述出光口與所述熒光層上端面重疊設置。

5.根據權利要求4所述的高對比度的LED器件的發光結構，其特征在于：所述金屬層包括單層金屬層結構和多層金屬層結構，多層所述金屬層結構由若干所述金屬層疊加形成。

6.根據權利要求5所述的高對比度的LED器件的發光結構，其特征在于：單層所述金屬層結構包括全包裹狀態和半包裹狀態；

處于全包裹狀態時，所述金屬層環向包裹住所述熒光層和芯片，所述金屬層遠離所述出光口的下端面與所述芯片下端面處于同一水平面；

處于半包裹狀態時，所述金屬層環向包裹住所述熒光層，所述金屬層遠離所述出光口的下端面與所述熒光層下端面處于同一水平面。

7.根據權利要求6所述的高對比度的LED器件的發光結構，其特征在于：多層所述金屬層結構僅包括全包裹狀態；

處于全包裹狀態時，第一層所述金屬層環向包裹住所述熒光層和芯片，第二層所述金屬層環向包裹住第一層所述金屬層的外層壁......第n層所述金屬層環向包裹住第n-1層所述金屬層的外層壁。

8.根據權利要求5所述的高對比度的LED器件的發光結構，其特征在于：所述填充層表面呈弧形微凸結構。