[實用新型]一種制絨槽有效
| 申請號: | 202223529214.7 | 申請日: | 2022-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN218867135U | 公開(公告)日: | 2023-04-14 |
| 發明(設計)人: | 馮德魁;簡磊 | 申請(專利權)人: | 天合光能股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司: | 北京正桓知識產權代理事務所(普通合伙) 11979 | 代理人: | 張夢迪 |
| 地址: | 213001 江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制絨槽 | ||
本申請提供一種制絨槽,包括槽體以及位于所述槽體內的鼓泡管;其中,所述槽體內設有硅片反應區,所述鼓泡管位于所述硅片反應區靠近所述槽體的底部的一側;所述鼓泡管的管壁貫穿設有鼓泡孔;其中,所述鼓泡孔的鼓泡方向與第一方向之間夾角大于等于90°且小于180°;其中,所述第一方向平行于所述槽體的底部指向所述硅片反應區的方向。在上述技術方案中,通過對鼓泡孔的鼓泡方向與第一方向夾角角度的設計,以使鼓泡孔鼓出的氣泡所受的氣流推力避開硅片反應區,改善氣泡直接朝向硅片反應區沖擊硅片以使硅片碎裂的現象。
技術領域
本申請涉及光伏技術領域,尤其是涉及一種制絨槽。
背景技術
太陽能電池的制備包括制絨、擴散、鍍膜、絲網印刷、燒結等工序。其中,制絨的目的是在硅片表面形成絨面。
制絨工序一般會在制絨槽內進行,制絨槽內盛裝有反應液,硅片在反應液內反應以形成絨面。反應液的均勻程度影響著硅片絨面均勻程度。為了讓硅片絨面均勻,制絨槽內通常會設有鼓泡裝置,通過鼓泡形式讓反應液混勻。
鼓泡裝置一般設置在硅片反應區的正下方,由正下方直接向硅片反應區中的硅片鼓泡,可能致使硅片碎裂。
實用新型內容
本申請提供一種制絨槽,以改善鼓泡裝置直接朝向硅片反應區中的硅片鼓泡致使的硅片碎裂的問題。
本申請提供了一種制絨槽,包括槽體以及位于所述槽體內的鼓泡管;其中,
所述槽體內設有硅片反應區,所述鼓泡管位于所述硅片反應區靠近所述槽體的底部的一側;所述鼓泡管的管壁貫穿設有鼓泡孔;其中,
所述鼓泡孔的鼓泡方向與第一方向之間夾角大于等于90°且小于180°;其中,所述第一方向為所述槽體的底部指向所述硅片反應區的方向。
在上述技術方案中,通過對鼓泡孔的鼓泡方向與第一方向夾角角度的設計,以使鼓泡孔鼓出的氣泡所受的氣流推力避開硅片反應區,改善氣泡直接朝向硅片反應區沖擊硅片以使硅片碎裂的現象。
在一個具體的可實施方案中,所述鼓泡管在所述槽體的底面的正投影包圍所述硅片反應區在所述槽體的底面的正投影。
在一個具體的可實施方案中,所述鼓泡管設置在所述槽體的側壁上。
在一個具體的可實施方案中,所述鼓泡孔位于所述鼓泡管遠離所述槽體的側壁的一側。
在一個具體的可實施方案中,所述鼓泡管呈環狀。
在一個具體的可實施方案中,所述鼓泡管位于同一平面,且所述平面平行于所述槽體的底部。
在一個具體的可實施方案中,所述鼓泡管呈直線狀或弧線狀。
在一個具體的可實施方案中,所述鼓泡管的數量不少于兩個,且不少于兩個的所述鼓泡管沿所述第一方向分層布置。
在一個具體的可實施方案中,所述鼓泡管的橫截面為圓形、橢圓形或多邊形。
在一個具體的可實施方案中,所述鼓泡孔的數量為多個,且所述鼓泡孔均勻設置在所述鼓泡管上。
附圖說明
圖1為本申請實施例提供的制絨槽結構示意圖;
圖2為圖1中A-A處剖面結構示意圖;
圖3為本申請實施例提供的制絨槽俯視結構示意圖;
圖4為本申請實施例提供的鼓泡管橫截面為圓形時結構示意圖;
圖5為本申請實施例提供的鼓泡管橫截面為多邊形時結構示意圖。
1、槽體;2、鼓泡管;3、鼓泡孔;4、硅片反應區。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于天合光能股份有限公司,未經天合光能股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202223529214.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





