[實用新型]一種制絨槽有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202223529214.7 | 申請日： | 2022-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN218867135U | 公開（公告）日： | 2023-04-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馮德魁;簡磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京正桓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11979 | 代理人： | 張夢迪 |
| 地址： | 213001 江蘇省常*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制絨槽 | ||
1.一種制絨槽，其特征在于，包括槽體以及位于所述槽體內(nèi)的鼓泡管；其中，
所述槽體內(nèi)設(shè)有硅片反應(yīng)區(qū)，所述鼓泡管位于所述硅片反應(yīng)區(qū)靠近所述槽體的底部的一側(cè)；所述鼓泡管的管壁貫穿設(shè)有鼓泡孔；其中，
所述鼓泡孔的鼓泡方向與第一方向之間夾角大于等于90°且小于180°；其中，所述第一方向為所述槽體的底部指向所述硅片反應(yīng)區(qū)的方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨槽，其特征在于，所述鼓泡管在所述槽體的底面的正投影包圍所述硅片反應(yīng)區(qū)在所述槽體的底面的正投影。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制絨槽，其特征在于，所述鼓泡管設(shè)置在所述槽體的側(cè)壁上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制絨槽，其特征在于，所述鼓泡孔位于所述鼓泡管遠(yuǎn)離所述槽體的側(cè)壁的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨槽，其特征在于，所述鼓泡管呈環(huán)狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制絨槽，其特征在于，所述鼓泡管位于同一平面，且所述平面平行于所述槽體的底部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨槽，其特征在于，所述鼓泡管呈直線狀或弧線狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨槽，其特征在于，所述鼓泡管的數(shù)量不少于兩個，且不少于兩個的所述鼓泡管沿所述第一方向分層布置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨槽，其特征在于，所述鼓泡管的橫截面為圓形、橢圓形或多邊形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9任一項所述的制絨槽，其特征在于，所述鼓泡孔的數(shù)量為多個，且所述鼓泡孔均勻設(shè)置在所述鼓泡管上。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
