[實用新型]用于放置硅片的花籃結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202223498464.9 | 申請日: | 2022-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN219286355U | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 任新剛;張珊;魯戰(zhàn)鋒;張超;李靜;杜杰;成路 | 申請(專利權(quán))人: | 隆基綠能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京英創(chuàng)嘉友知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11447 | 代理人: | 鄧鵬 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 放置 硅片 花籃 結(jié)構(gòu) | ||
本公開涉及一種用于放置硅片的花籃結(jié)構(gòu),包括第一安裝架、第二安裝架、承載座以及齒桿,第一安裝架和第二安裝架沿第一方向相對且間隔設(shè)置,且承載座連接第一安裝架的底部和第二安裝架的底部;齒桿包括齒桿本體和多個間隔齒,齒桿本體沿第一方向延伸并連接第一安裝架和第二安裝架,多個間隔齒沿第一方向兩兩間隔地設(shè)置于齒桿本體;每相鄰兩個間隔齒用于與硅片的兩個側(cè)面支撐,且間隔齒上至少形成有兩個用于與硅片支撐的支撐部,且至少兩個支撐部所在的平面用于與硅片的側(cè)面平行。則當(dāng)將硅片放置于該花籃結(jié)構(gòu)時,該間隔齒能夠使得硅片不發(fā)生彎曲變形,避免相鄰兩個硅片因彎曲變形而出現(xiàn)貼合的情況,避免粘片異常,降低返洗比例,減少生產(chǎn)成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及硅片技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種用于放置硅片的花籃結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
隨著世界經(jīng)濟的不斷發(fā)展,現(xiàn)代化建設(shè)對高效能源需求不斷增長。光伏發(fā)電作為綠色能源以及人類可持續(xù)發(fā)展的主要能源的一種,日益受到世界各國的重視并得到大力發(fā)展。
隨著硅棒切割技術(shù)的發(fā)展,原材料價格上漲,對硅片質(zhì)量要求也越來越高。在薄片、大尺寸硅片生產(chǎn)中,伴隨硅片厚度減小、面積增大,剛性也隨之減小,在清洗過程中兩張硅片表面殘留水的張力(內(nèi)聚力)作用下,厚度較薄、剛性不足的硅片易發(fā)生彈性形變被吸附在一起,引起粘片異常,從而導(dǎo)致返洗比例升高,增加了生產(chǎn)成本。
實用新型內(nèi)容
本公開的目的是提供一種用于放置硅片的花籃結(jié)構(gòu),該用于放置硅片的花籃結(jié)構(gòu)能夠解決相關(guān)技術(shù)中存在的技術(shù)問題。
為了實現(xiàn)上述目的,本公開提供一種用于放置硅片的花籃結(jié)構(gòu),所述花籃結(jié)構(gòu)包括第一安裝架、第二安裝架、承載座以及齒桿,所述第一安裝架和所述第二安裝架沿第一方向相對且間隔設(shè)置,且所述承載座連接所述第一安裝架的底部和所述第二安裝架的底部,以用于對沿所述第一方向排布的多個硅片進行支撐;所述齒桿包括齒桿本體和多個間隔齒,所述齒桿本體沿所述第一方向延伸并連接所述第一安裝架和所述第二安裝架,多個所述間隔齒沿所述第一方向兩兩間隔地設(shè)置于所述齒桿本體;每相鄰兩個所述間隔齒用于與硅片的兩個側(cè)面支撐,且所述間隔齒上至少形成有兩個用于與硅片支撐的支撐部,且至少兩個所述支撐部所在的平面用于與所述硅片的側(cè)面相互平行。
可選地,所述間隔齒沿第二方向延伸并包括齒身和齒頭,所述齒身連接于所述齒桿本體,所述齒頭可拆卸地連接于所述齒身遠離所述齒桿本體的一端,且所述齒身和所述齒頭上分別形成有一個所述支撐部,其中,所述第二方向和所述第一方向相交設(shè)置。
可選地,所述齒身構(gòu)造為錐體結(jié)構(gòu),所述錐體結(jié)構(gòu)在逐漸遠離所述齒桿本體的方向上呈漸縮狀,所述齒頭構(gòu)造為球狀結(jié)構(gòu);所述錐體結(jié)構(gòu)遠離所述齒桿本體的一端設(shè)置有螺紋孔,所述球狀結(jié)構(gòu)上設(shè)置有與所述螺紋孔配合連接的螺紋桿;或者,所述錐體結(jié)構(gòu)遠離所述齒桿本體的一端設(shè)置有螺紋桿,所述球狀結(jié)構(gòu)上設(shè)置有與所述螺紋桿配合的螺紋孔。
可選地,所述齒身在所述第二方向上的尺寸與所述齒頭在所述第二方向的尺寸之比為3:1或4:1。
可選地,所述間隔齒在所述第二方向上的尺寸不小于18mm。
可選地,所述間隔齒的硬度在75HD至85HD之間。
可選地,所述間隔齒的粗糙度不大于0.3Ra。
可選地,所述間隔齒由疏水性復(fù)合材料制成,且所述疏水性復(fù)合材料的接觸角不小于70度。
可選地,所述間隔齒在所述第一方向上的尺寸在3mm至5mm之間。
可選地,每相鄰兩個所述間隔齒之間的距離在4.5mm至6.5mm之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





