[實用新型]蒸鍍掩膜版有效
| 申請號： | 202223466638.3 | 申請日： | 2022-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN219059094U | 公開（公告）日： | 2023-05-23 |
| 發明（設計）人： | 殷璐;趙文炎 | 申請（專利權）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/04 | 分類號： | C23C14/04;C23C14/24;H10K71/16 |
| 代理公司： | 成都極刻智慧知識產權代理事務所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 陳萬藝 |
| 地址： | 065500 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蒸鍍掩膜版 | ||
1.一種蒸鍍掩膜版，用于對陣列基板執行蒸鍍作業，其特征在于，所述陣列基板包括支撐結構，所述支撐結構用于在所述蒸鍍掩膜版和所述陣列基板對位設置時支撐所述蒸鍍掩膜版；
所述蒸鍍掩膜版包括掩膜版本體，所述掩膜版本體上設置有與所述陣列基板上的支撐結構對應的容置孔，在所述蒸鍍掩膜版和所述陣列基板對位設置時，所述支撐結構的至少一部分嵌入所述容置孔內，所述容置孔朝向所述陣列基板一側的開口處與所述支撐結構接觸。
2.根據權利要求1所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，在所述蒸鍍掩膜版和所述陣列基板對位設置時，所述容置孔朝向所述陣列基板一側的開口形狀與所述支撐結構在所述蒸鍍掩膜版上的正投影的形狀相同，且所述容置孔朝向所述陣列基板一側的開口面積小于所述支撐結構在所述陣列基板上的正投影的面積。
3.根據權利要求2所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述容置孔的開口形狀為橢圓形或圓形。
4.根據權利要求1所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述容置孔為沿所述掩膜版本體的厚度方向貫穿所述掩膜版本體的通孔。
5.根據權利要求1所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述容置孔為沿所述掩膜版本體的厚度方向非貫穿所述掩膜版本體的盲孔。
6.根據權利要求5所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述蒸鍍掩膜版與所述陣列基板上對位設置時，所述支撐結構嵌入至所述容置孔中的深度小于或等于所述容置孔的深度。
7.根據權利要求1所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述容置孔靠近所述陣列基板一側的開口面積大于遠離陣列基板一側的開口面積。
8.根據權利要求7所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述容置孔的側壁呈階梯狀。
9.根據權利要求7所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述容置孔的側壁呈弧面，所述弧面的弧度與所述支撐結構的外部輪廓的弧度相符。
10.根據權利要求1所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述掩膜版本體上設置有多個所述容置孔，多個所述容置孔分別與所述陣列基板上的多個所述支撐結構位置對應。
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