[實用新型]一種防止接入大電流產(chǎn)生的電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202223437025.7
• 申請日: 2022-12-21
• 公開（公告）號: CN219204349U
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門漢印電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;H02M1/08;H02M3/158
• 代理公司: 成都維企專利代理有限公司 51345
• 代理人: 宋學(xué)康

本申請涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種防止接入大電流產(chǎn)生的電路。其包括電源轉(zhuǎn)換電路、主控電路、以及控制電路，所述電源轉(zhuǎn)換電路給所述主控電路供電；所述電源轉(zhuǎn)換電路的輸出端與所述控制電路的輸入端連接；所述控制電路包括第一MOS管Q1、第一電阻R1和MOS管開關(guān)電路，所述第一電阻R1和所述第一MOS管Q1并聯(lián)，所述第一MOS管Q1的源極和第一電阻R1的一端同時與所述電源轉(zhuǎn)換電路連接，所述第一MOS管Q1的漏極和第一電阻R1同為輸出端，所述第一MOS管Q1的柵極通過所述MOS管開關(guān)電路接地，所述MOS管開關(guān)電路的控制端與所述主控電路連接。本申請解決了接入大電流的產(chǎn)生的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種防止接入大電流產(chǎn)生的電路。

背景技術(shù)

隨著工業(yè)的發(fā)展，越來越多的電子產(chǎn)品需求充盈著市場，但是即使如此市場上的產(chǎn)品依然是良莠不齊，特別是有很多產(chǎn)品因為某種需要，則需在主功率回路上設(shè)置大的輸入電容，但是這種電容的存在可能會在供電設(shè)備接入時造成插入火花甚至損壞供電設(shè)備的。

目前的電子產(chǎn)品如果需要在主功率回路上設(shè)置大容值的輸入電容的話，一方面會在供電設(shè)備的輸出端設(shè)置一個大電容來應(yīng)對設(shè)備接入時的瞬時大電流造成的電壓跌落或關(guān)機；另一方面如果是插入直接開機的電路會在輸入電容前端設(shè)置一個MOS管緩沖電路，但是往往由于插入時電壓差較大而導(dǎo)致充電電流大，輸入電容容值大，充電持續(xù)時間長，易造成MOS管因大功率而燒毀或是供電設(shè)備故障等異常。

實用新型內(nèi)容

為了防止接入大電流的產(chǎn)生，本申請?zhí)峁┮环N防止接入大電流產(chǎn)生的電路。

本申請?zhí)峁┑囊环N防止接入大電流產(chǎn)生的電路采用如下的技術(shù)方案：一種防止接入大電流產(chǎn)生的電路，包括電源轉(zhuǎn)換電路、主控電路、以及控制電路，所述電源轉(zhuǎn)換電路給所述主控電路供電；所述電源轉(zhuǎn)換電路的輸出端與所述控制電路的輸入端連接；所述控制電路包括第一MOS管Q1、第一電阻R1和MOS管開關(guān)電路，所述第一電阻R1和所述第一MOS管Q1并聯(lián)，所述第一MOS管Q1的源極和第一電阻R1的一端同時與所述電源轉(zhuǎn)換電路連接，所述第一MOS管Q1的柵極通過所述MOS管開關(guān)電路接地，所述MOS管開關(guān)電路的控制端與所述主控電路連接，所述第一MOS管Q1的漏極和所述第一電阻R1同為輸出端。

通過采用上述技術(shù)方案，當(dāng)供電設(shè)備接入時，主控電路控制MOS管開關(guān)電路處于斷開狀態(tài)，從而使第一MOS管Q1處于斷開狀態(tài)，電源轉(zhuǎn)換電路通過第一電阻R1給主功率回路中的大電容充電，利用第一電阻R1的限制電流作用對大電容充電；當(dāng)大電容充到一定電壓后，主控電路控制MOS管開關(guān)電路處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而使第一MOS管Q1導(dǎo)通，從而再使第一MOS管Q1作為主電流運行電路，從而防止接入大電流的產(chǎn)生。

優(yōu)選的，所述MOS管開關(guān)電路包括第二電阻R2、第三電阻R3、第二MOS管Q2，所述第二電阻R2一端與所述電源轉(zhuǎn)換電路連接，所述第二電阻R2的另一端與第一MOS管Q1的柵極連接；所述主控電路與第二MOS管Q2的柵極連接，所述第二MOS管Q2的源極接地，所述第二MOS管Q2的漏極與第三電阻R3的一端連接，所述第三電阻R3的另一端連接在第二電阻R2和第一MOS管Q1的柵極之間。

通過采用上述技術(shù)方案，主控電路控制輸出高電平，從而使第二MOS管導(dǎo)通，進而是MOS管開關(guān)電路導(dǎo)通接地，從而使第一MOS管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，提高第一MOS管Q1控制的穩(wěn)定性。

優(yōu)選的，所述MOS管開關(guān)電路還包括第四電阻R4，所述第四電阻R4并聯(lián)在第二MOS管Q2的柵極和源極之間。

通過采用上述技術(shù)方案，連接在第二MOS管Q2柵極和源極之間的第四電阻R4為第二MOS管Q2提供偏置電壓，同時作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止第二MOS管Q2產(chǎn)生誤動作，甚至擊穿MOS管，起到了保護第二MOS管Q2的作用。

優(yōu)選的，所述電源轉(zhuǎn)換電路包括DC-DC電源轉(zhuǎn)換器。