[實用新型]一種防止接入大電流產生的電路

有效

• 申請號: 202223437025.7
• 申請日: 2022-12-21
• 公開（公告）號: CN219204349U
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 廈門漢印電子技術有限公司
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;H02M1/08;H02M3/158
• 代理公司: 成都維企專利代理有限公司 51345
• 代理人: 宋學康

1.一種防止接入大電流產生的電路，其特征在于：包括電源轉換電路(1)、主控電路(2)、以及控制電路(3)，所述電源轉換電路(1)給所述主控電路(2)供電；所述電源轉換電路(1)的輸出端與所述控制電路(3)的輸入端連接；所述控制電路(3)包括第一MOS管Q1、第一電阻R1和MOS管開關電路(4)，所述第一電阻R1和所述第一MOS管Q1并聯，所述第一MOS管Q1的源極和第一電阻R1的一端同時與所述電源轉換電路(1)連接，所述第一MOS管Q1的柵極通過所述MOS管開關電路(4)接地，所述MOS管開關電路(4)的控制端與所述主控電路(2)連接，所述第一MOS管Q1的漏極和所述第一電阻R1同為輸出端。

2.根據權利要求1所述的防止接入大電流產生的電路，其特征在于：所述MOS管開關電路(4)包括第二電阻R2、第三電阻R3、第二MOS管Q2，所述第二電阻R2一端與所述電源轉換電路(1)連接，所述第二電阻R2的另一端與第一MOS管Q1的柵極連接；所述主控電路(2)與第二MOS管Q2的柵極連接，所述第二MOS管Q2的源極接地，所述第二MOS管Q2的漏極與第三電阻R3的一端連接，所述第三電阻R3的另一端連接在第二電阻R2和第一MOS管Q1的柵極之間。

3.根據權利要求1所述的防止接入大電流產生的電路，其特征在于：所述MOS管開關電路(4)還包括第四電阻R4，所述第四電阻R4并聯在第二MOS管Q2的柵極和源極之間。

4.根據權利要求1所述的防止接入大電流產生的電路，其特征在于：所述電源轉換電路(1)包括DC-DC電源轉換器。

5.根據權利要求1所述的防止接入大電流產生的電路，其特征在于：所述第一MOS管Q1為PMOS管。

6.根據權利要求2所述的接入大電流產生的電路，其特征在于：所述第二MOS管Q2為NMOS管。

7.根據權利要求1所述的接入大電流產生的電路，其特征在于：所述主控電路(2)包括MCU。