[實(shí)用新型]一種改進(jìn)型晶圓設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202223393851.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-12-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN219017602U | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈達(dá);薛亞玲;蔣人杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吾拾微電子(蘇州)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改進(jìn)型 設(shè)備 | ||
1.一種改進(jìn)型晶圓設(shè)備,其特征在于,適于將目標(biāo)物進(jìn)行解鍵合,所述目標(biāo)物為晶圓和載片粘合結(jié)構(gòu),所述改進(jìn)型晶圓設(shè)備包括:
工作臺(tái);
放置機(jī)構(gòu),設(shè)置在所述工作臺(tái)上,適于放置物料;
解鍵合機(jī)構(gòu),設(shè)置在所述放置機(jī)構(gòu)一側(cè),適于將所述目標(biāo)物處理,所述解鍵合機(jī)構(gòu)包括吸附分離組件以及可相對(duì)于所述工作臺(tái)移動(dòng)的吸附加熱組件,所述吸附加熱組件靠近所述吸附分離組件移動(dòng),以吸附所述目標(biāo)物后朝向遠(yuǎn)離所述吸附分離組件移動(dòng);
風(fēng)冷機(jī)構(gòu),設(shè)置在所述解鍵合機(jī)構(gòu)的一側(cè),適于冷卻與所述載片分離后的所述晶圓,所述風(fēng)冷機(jī)構(gòu)包括支撐架、設(shè)置在所述支撐架上的多個(gè)冷卻板,每個(gè)所述冷卻板的側(cè)面均設(shè)置有若干通孔;
清洗機(jī)構(gòu),設(shè)置在所述風(fēng)冷機(jī)構(gòu)一側(cè),適于清洗與所述載片分離后的晶圓。
2.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型晶圓設(shè)備,其特征在于,所述冷卻板為金屬材質(zhì)。
3.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型晶圓設(shè)備,其特征在于,所述冷卻板適于放置所述晶圓,所述冷卻板在所述晶圓上的正投影占所述晶圓的面積的1/3。
4.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型晶圓設(shè)備,其特征在于,每個(gè)所述冷卻板上還設(shè)置有支撐組件,所述支撐組件包括均勻設(shè)置在所述冷卻板上的多個(gè)支撐部。
5.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型晶圓設(shè)備,其特征在于,所述改進(jìn)型晶圓設(shè)備還包括設(shè)置在所述工作臺(tái)上的尋邊器。
6.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型晶圓設(shè)備,其特征在于,所述吸附分離組件包括第一驅(qū)動(dòng)件、與所述第一驅(qū)動(dòng)件連接的第一吸附件以及與所述第一吸附件連接的第一負(fù)壓件,所述第一吸附件適于吸附所述目標(biāo)物,所述第一驅(qū)動(dòng)件適于帶動(dòng)所述第一吸附件和所述目標(biāo)物移動(dòng)。
7.如權(quán)利要求6所述的改進(jìn)型晶圓設(shè)備,其特征在于,所述吸附加熱組件設(shè)置在所述吸附分離組件一側(cè),所述吸附加熱組件包括第二驅(qū)動(dòng)件及與所述第二驅(qū)動(dòng)件連接的第二吸附件、設(shè)置在所述第二吸附件下方的加熱板以及與所述第二吸附件連接的第二負(fù)壓件。
8.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型晶圓設(shè)備,其特征在于,所述解鍵合機(jī)構(gòu)還包括置物組件,所述置物組件包括置物臺(tái)和設(shè)置在所述置物臺(tái)上的卡固件。
9.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型晶圓設(shè)備,其特征在于,清洗機(jī)構(gòu)包括桶體、與所述桶體連通的輸送管、與所述輸送管連通的清洗頭以及設(shè)置在所述清洗頭下方的清洗臺(tái),所述清洗頭在外力作用下相對(duì)于所述清洗臺(tái)運(yùn)動(dòng)。
10.如權(quán)利要求9所述的改進(jìn)型晶圓設(shè)備,其特征在于,還包括設(shè)置在所述桶體上的液位傳感器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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