[實(shí)用新型]一種電容放電電路及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202223342587.3 | 申請日: | 2022-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN218771384U | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 江瑤 | 申請(專利權(quán))人: | 廣州科技職業(yè)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00;H02M1/32;H02H9/00 |
| 代理公司: | 成都魚爪智云知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51308 | 代理人: | 郭淑媛 |
| 地址: | 510550 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電容 放電 電路 裝置 | ||
本實(shí)用新型提出了一種電容放電電路及裝置,涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域。其包括電容EB2、電阻RB1、電阻RB3、電阻RB4、MOS管QB1和MOS管QB2,MOS管QB1的漏極通過電阻RB1后用于與外部電容的高電平一端相連,MOS管QB1的源極與MOS管QB2的源極相連,MOS管QB1的源極還用于與控制電壓相連,MOS管QB1的柵極與MOS管QB2的柵極相連,MOS管QB2的漏極接地,MOS管QB2的漏極還通過依次串聯(lián)的電阻RB4和電阻RB3后用于與控制電壓相連,電阻RB4和電阻RB3的公共端與MOS管QB1的柵極相連,電容EB2與電阻RB4并聯(lián)。可以實(shí)現(xiàn)對外部電容自動放電且不會帶來額外功耗的功能。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種電容放電電路及裝置。
背景技術(shù)
在電路實(shí)際運(yùn)用中,經(jīng)常需要對電路中的儲能元器件進(jìn)行放電后,再進(jìn)行類似維修、測試、包裝和搬運(yùn)等操作處理。例如,在開關(guān)電源中,需要很多的儲能元器件,如各種電容、電感等。當(dāng)電源停止工作后,這些儲能元器件上仍然儲存有能量,如無對應(yīng)的放電回路,則這些元器件儲存的能量會在其受到外界因素導(dǎo)致短路時,釋放能量,容易造成器件損壞,也容易讓人誤摸觸電。
在現(xiàn)有技術(shù)中,其是利用外部放電裝置對電容放電后進(jìn)行板卡的操作和儲存,通常的放電裝置為水泥電阻。而對于一些低壓電容,往往會在其兩端并聯(lián)電阻作為負(fù)載自動放電。而對于類似像母線電容這種高壓電容,直接使用并聯(lián)電阻放電,會對放電電阻帶來很大的損耗,且會影響板卡的效率和待機(jī)功耗。因此,急需一種能夠保證不帶來額外損耗的情況下對電容進(jìn)行自動放電的電路。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了克服上述問題或者至少部分地解決上述問題,本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種電容放電電路及裝置,通過電路結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化,可以在外部電容失電后對其進(jìn)行自動放電,保證對外部電容進(jìn)行及時有效的放電,且整個電路在外部電容對應(yīng)的電源電路正常運(yùn)行時,處于開路狀態(tài),不會帶來額外的損耗。
本實(shí)用新型的實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的:
第一方面,本申請實(shí)施例提供一種電容放電電路,其包括電容EB2、電阻RB1、電阻RB3、電阻RB4、MOS管QB1和MOS管QB2,上述MOS管QB1的漏極通過上述電阻RB1后用于與外部電容的高電平一端相連,上述MOS管QB1的源極與上述MOS管QB2的源極相連,上述MOS管QB1的源極還用于與控制電壓相連,上述MOS管QB1的柵極與上述MOS管QB2的柵極相連,上述MOS管QB2的漏極接地,上述MOS管QB2的漏極還通過依次串聯(lián)的上述電阻RB4和電阻RB3后用于與控制電壓相連,上述電阻RB4和電阻RB3的公共端與上述MOS管QB1的柵極相連,上述電容EB2與上述電阻RB4并聯(lián)。
基于第一方面,在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,還包括發(fā)光二極管LED1,上述發(fā)光二極管LED1的陰極通過上述電阻RB1與上述MOS管QB1的漏極相連,上述發(fā)光二極管LED1的陽極用于與外部電容的高電平一端相連。
在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,上述電阻RB1為水泥電阻。
在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,上述MOS管QB1和MOS管QB2為耗盡型MOS管。
在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,上述MOS管QB1和MOS管QB2為GaN耗盡型MOS管。
第二方面,本申請實(shí)施例提供一種電容放電裝置,其包括殼體和設(shè)有第一方面中任一一種電容放電電路的電路板,上述電路板設(shè)于上述殼體內(nèi)。
相對于現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)用新型的實(shí)施例至少具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果:
(1)本實(shí)用新型的實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)外部電容的自動放電,不需要人為的操作,可以避免因人為忘記對外部電容放電,帶來產(chǎn)品的損壞或者使人觸電,增加了安全性。并且,整個電路可以在外部電容對應(yīng)的電源電路正常運(yùn)行時,處于開路狀態(tài),不會帶來額外的損耗。
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