[實用新型]一種電容放電電路及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202223342587.3 | 申請日： | 2022-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN218771384U | 公開（公告）日： | 2023-03-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 江瑤 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州科技職業(yè)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號： | H02J7/00 | 分類號： | H02J7/00;H02M1/32;H02H9/00 |
| 代理公司： | 成都魚爪智云知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51308 | 代理人： | 郭淑媛 |
| 地址： | 510550 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電容 放電 電路 裝置 | ||
1.一種電容放電電路，其特征在于，包括電容EB2、電阻RB1、電阻RB3、電阻RB4、MOS管QB1和MOS管QB2，所述MOS管QB1的漏極通過所述電阻RB1后用于與外部電容的高電平一端相連，所述MOS管QB1的源極與所述MOS管QB2的源極相連，所述MOS管QB1的源極還用于與控制電壓相連，所述MOS管QB1的柵極與所述MOS管QB2的柵極相連，所述MOS管QB2的漏極接地，所述MOS管QB2的漏極還通過依次串聯(lián)的所述電阻RB4和電阻RB3后用于與控制電壓相連，所述電阻RB4和電阻RB3的公共端與所述MOS管QB1的柵極相連，所述電容EB2與所述電阻RB4并聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電容放電電路，其特征在于，還包括發(fā)光二極管LED1，所述發(fā)光二極管LED1的陰極通過所述電阻RB1與所述MOS管QB1的漏極相連，所述發(fā)光二極管LED1的陽極用于與外部電容的高電平一端相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電容放電電路，其特征在于，所述電阻RB1為水泥電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電容放電電路，其特征在于，所述MOS管QB1和MOS管QB2為耗盡型MOS管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種電容放電電路，其特征在于，所述MOS管QB1和MOS管QB2為GaN耗盡型MOS管。
6.一種電容放電裝置，其特征在于，包括殼體和設(shè)有權(quán)利要求1-5任一項所述的一種電容放電電路的電路板，所述電路板設(shè)于所述殼體內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣州科技職業(yè)技術(shù)大學(xué)，未經(jīng)廣州科技職業(yè)技術(shù)大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202223342587.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
