[實用新型]一種基于雙D觸發器的相序保護電路

有效

• 申請號: 202223324874.1
• 申請日: 2022-12-13
• 公開（公告）號: CN218976334U
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 鄒波;祝亞桂;郭冬泉;歐廣濤
• 申請（專利權）人: 貴陽航空電機有限公司
• 主分類號: H02H7/12
• 分類號: H02H7/12;H02H7/09;H02H7/08;H02H3/13
• 代理公司: 貴陽春秋知識產權代理事務所(普通合伙) 52109
• 代理人: 楊云;李萬強

1.一種基于雙D觸發器的相序保護電路，包括具有A相、B相和C相三相的三相設備、以及用于檢測三相設備三相相序輸入信號是否準確的雙D觸發器；其特征在于：所述三相設備的A相、B相和C相通過MOS管組件與雙D觸發器連接，該三相設備的A相與B相對應連接在雙D觸發器的兩個時鐘信號上，其三相設備的C相電流信號經微分電路轉變為尖脈沖作用于雙D觸發器的復位端R上；所述MOS管組件包含第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，三相設備的A相通過第一MOS管與雙D觸發器的時鐘信號1CLK引腳端連接，三相設備的B相通過第二MOS管與雙D觸發器的時鐘信號2CLK引腳端連接，三相設備的C相通過第三MOS管與雙D觸發器的兩復位端R連接；所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管的柵極連接有濾波電路，該濾波電路包含電容和兩個電阻。

2.根據權利要求1所述的一種基于雙D觸發器的相序保護電路，其特征在于：所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管上皆連接有穩壓二極管，其第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管中的MOS管采用N溝道場效應管。

3.根據權利要求1所述的一種基于雙D觸發器的相序保護電路，其特征在于：所述微分電路包含電容C4、電阻R10和電阻R11，該電阻R11的輸出端分別連接在雙D觸發器的兩復位端R上。