[實用新型]一種低溫磁場探針臺樣品腔結構

有效

• 申請號: 202223280269.9
• 申請日: 2022-12-08
• 公開（公告）號: CN219320340U
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 曹志強;蔡旭東;張學瑩;王麟;付大鵬
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學杭州創新研究院;致真精密儀器（杭州）有限公司
• 主分類號: G01R1/04
• 分類號: G01R1/04;G01R1/067
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型提供了一種低溫磁場探針臺樣品腔結構，包括外腔、中腔、內腔，中腔設置在外腔內側，內腔設置在中腔內側，外腔、中腔均在相匹配位置設置有探針口、拓展冷能口，內腔包括外冷屏、內冷屏、導冷底板、隔熱支架，外冷屏、內冷屏、導冷底板圍成環形腔室，內冷屏為管狀，外冷屏底部與導冷底板連接，導冷底板通過隔熱支架與中腔連接，導冷底板下側設置有冷能接口，中腔底部的與冷能接口對應位置設置有基礎冷能口，導冷底板為環形，內冷屏的內側經導冷底板、中腔的冷能口連通至外腔的拓展冷能口，能夠能夠適用于具有兩個獨立冷源的探針臺。

技術領域

本實用新型屬于物理及半導體測試技術領域，涉及一種探針臺，具體地，涉及一種低溫磁場探針臺樣品腔結構。

背景技術

探針臺測試設備是一種應用廣泛的非破壞性測試手段，可用于物理及半導體領域的測試，具體地，可用于測試材料樣品或器件的電學特性、光電特性、高頻特性等方面的性能，在物理及半導體領域中的應用十分豐富。在此基礎上，磁場探針臺測試系統進一步提供了磁場環境，使得探針臺測試設備可以進一步研究被測材料或器件在磁場下的性能表現及特性，其典型應用包括磁學、自旋電子學、半導體物理與器件、量子器件等。

由于低溫磁場探針臺測試系統需要營造低溫條件，例如使得被測樣品處于較低的測試溫度下，或使得電磁線圈冷卻至具有相應電磁性能的溫度，例如冷卻電磁線圈至超導溫度，在部分測試時，對被測樣品、電磁線圈的冷卻需求存在差異，需要通過分別使被測樣品和電磁線圈連接不同的冷源的方式來滿足相應測試需求，現有探針臺樣品腔一般僅能用于單冷源情形，難以匹配雙冷源的情形，因此，亟需一種能夠在雙冷源下使用的樣品腔結構，以滿足現有的雙冷源的探針臺的低溫條件營造需求。

實用新型內容

針對現有技術存在的樣品腔難以匹配雙冷源的問題，本實用新型提供了一種低溫磁場探針臺樣品腔結構，包括外腔、中腔、內腔，所述中腔設置在所述外腔內側，所述內腔設置在所述中腔內側，所述外腔、中腔均在相匹配位置設置有探針口、拓展冷能口，所述內腔包括外冷屏、內冷屏、導冷底板、隔熱支架，所述外冷屏、內冷屏、導冷底板圍成環形腔室，所述內冷屏為管狀，所述外冷屏底部與所述導冷底板連接，所述導冷底板通過所述隔熱支架與所述中腔連接，所述導冷底板下側設置有冷能接口，所述中腔底部的與所述冷能接口對應位置設置有基礎冷能口，所述導冷底板為環形，所述內冷屏的內側經所述導冷底板、所述中腔的所述冷能口連通至所述外腔的所述拓展冷能口。

優選地，隔熱支架為環形，所述隔熱支架設置有鏤空部，所述鏤空部與所述拓展冷能口的位置相匹配。

優選地，所述外冷屏與所述導冷底板的連接處將所述導冷底板劃分為內環、外環，所述內環位于所述外冷屏的內側，所述外環位于所述外冷屏的外側、所述中腔的腔室內。

可選地，所述外腔包括封蓋、腔體、封底，所述中腔包括封蓋、腔體、封底，所述外腔的所述封底與所述中腔的所述封底連接以封閉所述外腔的所述腔體與所述內腔的所述腔體之間的間隙；所述外腔的所述封蓋、腔體、封底以及所述中腔的所述封底，共同圍成一腔室；所述中腔的所述封蓋、腔體、封底共同圍成一腔室。

進一步優選地，所述封蓋上設置有觀察窗，所述觀察窗正對所述內冷屏。

優選地，所述內冷屏固定于所述中腔底部，所述內冷屏的側面設置有鏤空部，所述內冷屏的所述鏤空部靠近所述拓展冷能口。

可選地，所述外腔的所述拓展冷能口的端部設置有連接法蘭盤。

本實用新型至少具有以下有益效果：能夠適用于具有兩個獨立冷源的探針臺，能夠使用兩個獨立冷源并使冷源的冷能分別沿相互獨立的路徑傳遞，便于對探針臺的不同組件進行相互獨立的溫度控制。

附圖說明

圖1為本實用新型的一個實施方式的整體外形示意圖。

圖2為本實用新型的一個實施方式的爆炸圖。

圖3為本實用新型的一個實施方式的外腔結構示意圖。