[實用新型]一種低溫磁場探針臺樣品腔結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202223280269.9
• 申請日: 2022-12-08
• 公開（公告）號: CN219320340U
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹志強;蔡旭東;張學(xué)瑩;王麟;付大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)杭州創(chuàng)新研究院;致真精密儀器（杭州）有限公司
• 主分類號: G01R1/04
• 分類號: G01R1/04;G01R1/067
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低溫磁場探針臺樣品腔結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括外腔、中腔、內(nèi)腔，所述中腔設(shè)置在所述外腔內(nèi)側(cè)，所述內(nèi)腔設(shè)置在所述中腔內(nèi)側(cè)，所述外腔、中腔均在相匹配位置設(shè)置有探針口、拓展冷能口，所述內(nèi)腔包括外冷屏、內(nèi)冷屏、導(dǎo)冷底板、隔熱支架，所述外冷屏、內(nèi)冷屏、導(dǎo)冷底板圍成環(huán)形腔室，所述內(nèi)冷屏為管狀，所述外冷屏底部與所述導(dǎo)冷底板連接，所述導(dǎo)冷底板通過所述隔熱支架與所述中腔連接，所述導(dǎo)冷底板下側(cè)設(shè)置有冷能接口，所述中腔底部的與所述冷能接口對應(yīng)位置設(shè)置有基礎(chǔ)冷能口，所述導(dǎo)冷底板為環(huán)形，所述內(nèi)冷屏的內(nèi)側(cè)經(jīng)所述導(dǎo)冷底板、所述中腔的所述冷能口連通至所述外腔的所述拓展冷能口。

2.如權(quán)利要求1所述的一種低溫磁場探針臺樣品腔結(jié)構(gòu)，其特征在于：隔熱支架為環(huán)形，所述隔熱支架設(shè)置有鏤空部，所述鏤空部與所述拓展冷能口的位置相匹配。

3.如權(quán)利要求1所述的一種低溫磁場探針臺樣品腔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述外冷屏與所述導(dǎo)冷底板的連接處將所述導(dǎo)冷底板劃分為內(nèi)環(huán)、外環(huán)，所述內(nèi)環(huán)位于所述外冷屏的內(nèi)側(cè)，所述外環(huán)位于所述外冷屏的外側(cè)、所述中腔的腔室內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的一種低溫磁場探針臺樣品腔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述外腔包括封蓋、腔體、封底，所述中腔包括封蓋、腔體、封底，所述外腔的所述封底與所述中腔的所述封底連接以封閉所述外腔的所述腔體與所述內(nèi)腔的所述腔體之間的間隙；所述外腔的所述封蓋、腔體、封底以及所述中腔的所述封底，共同圍成一腔室；所述中腔的所述封蓋、腔體、封底共同圍成一腔室。

5.如權(quán)利要求4所述的一種低溫磁場探針臺樣品腔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述封蓋上設(shè)置有觀察窗，所述觀察窗正對所述內(nèi)冷屏。

6.如權(quán)利要求1所述的一種低溫磁場探針臺樣品腔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述內(nèi)冷屏固定于所述中腔底部，所述內(nèi)冷屏的側(cè)面設(shè)置有鏤空部，所述內(nèi)冷屏的所述鏤空部靠近所述拓展冷能口。

7.如權(quán)利要求1所述的一種低溫磁場探針臺樣品腔結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述外腔的所述拓展冷能口的端部設(shè)置有連接法蘭盤。