[實用新型]一種等離子體處理設備

有效

• 申請號: 202223143105.1
• 申請日: 2022-11-25
• 公開（公告）號: CN218783001U
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 倪圖強;徐朝陽;王智昊;王凱麟
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 張雙紅;包姝晴

本實用新型公開一種等離子體處理設備，包括：反應腔；基座，設置于所述反應腔的內部，用于承載晶圓；噴淋頭，設置于所述反應腔的內部頂部，與所述基座相對設置；所述噴淋頭用于將工藝氣體通入所述噴淋頭與所述基座之間的反應區域，以形成等離子體對晶圓進行刻蝕；內襯，環繞所述反應區域設置，用于使等離子體不與所述反應腔的內側壁接觸；加熱器，用于加熱所述內襯；以及移動環，其設置于所述內襯與所述噴淋頭之間，可沿垂直于晶圓表面的方向上下移動；且所述移動環可被所述內襯輻射加熱，以減少工藝氣體在所述移動環上沉積形成聚合物。此外，等離子體約束環同樣可被內襯輻射加熱，以減少工藝氣體在等離子體約束環上沉積形成聚合物。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種等離子體處理設備。

背景技術

在等離子體處理設備中，通入反應腔的工藝氣體會被電離為等離子體，對晶圓表面進行刻蝕處理。然而，工藝氣體、產生等離子過程中的反應副產物以及等離子體刻蝕后的反應副產物很容易形成聚合物，并沉積在溫度較低的部件(例如移動環)表面。當聚合物達到一定厚度時，會濺落并引入顆粒雜質造成晶圓表面污染，影響晶圓邊緣的刻蝕均勻性和穩定性，降低晶圓的制備良率。因此，有必要對溫度較低部件表面沉積的聚合物進行及時清理。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種等離子體處理設備，通過加熱器對內襯進行加熱時，移動環能夠被內襯輻射加熱，從而減少工藝氣體及反應副產物在移動環上沉積形成聚合物。

為了達到上述目的，本實用新型通過以下技術方案實現：

一種等離子體處理設備，包括：

反應腔；

基座，設置于所述反應腔的內部，用于承載晶圓；

噴淋頭，設置于所述反應腔的內部頂部，與所述基座相對設置；所述噴淋頭用于將工藝氣體通入所述噴淋頭與所述基座之間的反應區域，以形成等離子體對晶圓進行刻蝕；

內襯，環繞所述反應區域設置，用于使等離子體不與所述反應腔的內側壁接觸；

加熱器，用于加熱所述內襯；以及

移動環，其設置于所述內襯與所述噴淋頭之間，可沿垂直于晶圓表面的方向上下移動；且所述移動環可被所述內襯輻射加熱，以減少工藝氣體在所述移動環上沉積形成聚合物。

可選的，所述等離子體處理設備，還包括：等離子體約束環，位于所述基座和所述內襯之間，環繞所述基座設置；且所述等離子體約束環可被所述內襯輻射加熱，以減少工藝氣體在所述等離子體約束環上沉積形成聚合物。

可選的，所述反應腔包括：腔體和設置于所述腔體頂部的頂蓋；

所述內襯包括：保護部，其包括相對的頂端和底端；沿所述保護部頂端的徑向向遠離所述基座方向延伸的外沿；以及沿所述保護部底端的徑向向遠離所述基座方向延伸的內沿；且所述保護部環繞所述反應區域設置，所述外沿固定于所述腔體的頂部并與所述頂蓋接觸，所述內沿位于所述等離子體約束環的下方。

可選的，所述加熱器設置于所述外沿上且位于所述外沿與所述頂蓋和所述腔體接觸區域的外接觸區域。

可選的，所述外沿和所述頂蓋之間部分地設有第一熱隔絕層；所述外沿和所述腔體頂部之間部分地設有第二熱隔絕層。

可選的，所述加熱器位于所述第一熱隔絕層和所述第二熱隔絕層之間。

可選的，所述加熱器設置于所述保護部上。

可選的，所述加熱器的供電線纜穿設于所述外沿與所述腔體外的電源電連接。

可選的，所述加熱器設置于所述內沿下方。