[實用新型]一種等離子體處理設備

有效

• 申請號: 202223143105.1
• 申請日: 2022-11-25
• 公開（公告）號: CN218783001U
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 倪圖強;徐朝陽;王智昊;王凱麟
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 張雙紅;包姝晴

1.一種等離子體處理設備，其特征在于，包括：

反應腔；

基座，設置于所述反應腔的內部，用于承載晶圓；

噴淋頭，設置于所述反應腔的內部頂部，與所述基座相對設置；所述噴淋頭用于將工藝氣體通入所述噴淋頭與所述基座之間的反應區域，以形成等離子體對晶圓進行刻蝕；

內襯，環繞所述反應區域設置，用于使等離子體不與所述反應腔的內側壁接觸；

加熱器，用于加熱所述內襯；以及

移動環，其設置于所述內襯與所述噴淋頭之間，可沿垂直于晶圓表面的方向上下移動；且所述移動環可被所述內襯輻射加熱，以減少工藝氣體在所述移動環上沉積形成聚合物。

2.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其特征在于，還包括：等離子體約束環，位于所述基座和所述內襯之間，環繞所述基座設置；且所述等離子體約束環可被所述內襯輻射加熱，以減少工藝氣體在所述等離子體約束環上沉積形成聚合物。

3.如權利要求2所述的等離子體處理設備，其特征在于，

所述反應腔包括：腔體和設置于所述腔體頂部的頂蓋；

所述內襯包括：保護部，其包括相對的頂端和底端；沿所述保護部頂端的徑向向遠離所述基座方向延伸的外沿；以及沿所述保護部底端的徑向向靠近所述基座方向延伸的內沿；且所述保護部環繞所述反應區域設置，所述外沿固定于所述腔體的頂部并與所述頂蓋接觸，所述內沿位于所述等離子體約束環的下方。

4.如權利要求3所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述加熱器設置于所述外沿上且位于所述外沿與所述頂蓋和所述腔體接觸區域的外接觸區域。

5.如權利要求4所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述外沿和所述頂蓋之間設有第一熱隔絕層；所述外沿和所述腔體頂部之間設有第二熱隔絕層。

6.如權利要求5所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述加熱器位于所述第一熱隔絕層和所述第二熱隔絕層之間。

7.如權利要求3所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述加熱器設置于所述保護部上。

8.如權利要求4～7中任意一項所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述加熱器的供電線纜穿設于所述外沿與所述腔體外的電源電連接。

9.如權利要求3所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述加熱器設置于所述內沿下方。

10.如權利要求9所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述加熱器與所述腔體之間連接有波紋管，且所述加熱器的供電線纜穿設于所述波紋管內與所述腔體外的電源電連接。

11.如權利要求3所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述內襯還與接地環連接，且所述基座、所述反應區域內的等離子體、所述噴淋頭、所述頂蓋、所述內襯及所述接地環形成射頻路徑。

12.如權利要求3所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述內沿上設有若干個排氣孔。

13.如權利要求5所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述第一熱隔絕層為空隙或隔熱板；所述第二熱隔絕層為空隙或隔熱板。