[實用新型]定向氣體擴散器及設備有效
| 申請號: | 202223054556.8 | 申請日: | 2022-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN219260185U | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發明(設計)人: | M·阿多里西奧;D·麥克里姆蒙;V·瓦爾克;D·戴恩;B·斯庫勒 | 申請(專利權)人: | 恩特格里斯公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 李婷 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 定向 氣體 擴散器 設備 | ||
本實用新型涉及一種定向氣體擴散器及設備。所述定向氣體擴散器,其特征在于所述定向氣體擴散器包括:細長殼體,所述殼體包括:入口端;封閉端;長度,其在所述入口端與所述封閉端之間;開口,其在所述殼體的正面上沿著所述長度延伸;及通道,其在所述入口與所述封閉端之間延伸。所述通道是沿著所述長度由以下各項界定:所述開口,其沿著所述正面延伸;細長背面;及細長側面,其中所述通道具有長度、寬度、深度及沿著所述通道長度的不同橫截面面積。
技術領域
本說明涉及氣體擴散器裝置,具體來說定向氣體擴散器裝置及其殼體組件,包含所述氣體擴散器裝置的系統,使用所述氣體擴散器裝置的方法,及制造氣體擴散器裝置的方法。
背景技術
各種工業工藝及制造系統涉及將氣體分配到用于在制造期間處理、存儲、運輸或處置一或多個半導體晶片的腔室的封圍內部空間中的工藝步驟及設備。實例系統包含用于處理半導體及微電子裝置的系統,所述系統供應在清潔、蝕刻或材料沉積步驟(例如,化學氣相沉積、原子氣相沉積等)的過程中使用的氣體。供應到這些系統的氣體包含反應性氣體、腐蝕性氣體,例如溴化氫(HBr)及其它含鹵化物的氣體,以及惰性氣體。
其它系統包含用于容納、處置、轉移或移動多個半導體晶片的設備,實例是被稱為晶片轉移腔室、晶片載體(“FOUP”)等裝置。這些設備零件包含封圍內部空間,所述內部空間經調適以在處理晶片時容納多個半導體晶片。裝置的封圍空間容納晶片,且可容納被抽空(即,在減壓下)的氣氛或容納不同于空氣的氣體,例如惰性氣體。
作為一個實例,晶片轉移站是含有在使用期間被抽空的封圍內部的腔室的裝置,同時多個過程中半導體晶片保持在內部處。在打開真空腔室以取出晶片之前,氣體可返回到封圍內部以使內部壓力與外部(環境)壓力平衡。氣體可為惰性氣體,且通常通過被稱為擴散器的裝置引入到封圍內部中。擴散器以穩定且擴散方式將氣體引入到轉移站的內部中,以避免破壞可存在于內部處的任何污染物顆粒,所述污染物顆粒如果被破壞可沉降在晶片的表面處。
包含經調適以容納多個半導體晶片的封圍空間的另一裝置是晶片載體,有時被稱為“FOUP”,其可代表“前開式晶片傳送盒(Front?Opening?Unified?Pod”或“Front?OpeningUniversal?Pod”)。FOUP在封圍內部處容納多個半導體晶片,以運輸晶片。在使用期間,雖然在腔室內部處容納晶片,但內部填充有惰性氣體氣氛,如與空氣氣氛相對。惰性氣體通常通過擴散器添加到封圍腔室內部。擴散器將惰性氣體作為穩定且擴散流引入到晶片載體的內部中,以避免破壞可存在于內部處的污染物顆粒,所述污染物顆粒如果被破壞可能沉降在晶片的表面處。
實用新型內容
描述用于定向氣體擴散器的擴散器殼體,所述擴散器殼體用于將氣態原料分配到半導體處置或處理裝置的腔室的封圍內部中,或其它反應腔室、真空腔室等。還描述擴散器組合件,其包含殼體及擴散器的其它組件(例如擴散膜),制作殼體及擴散器組合件的方法,包含擴散器組合件的處理系統,以及使用殼體及擴散器組合件的方法。
根據實例擴散器殼體,殼體包括細長體,所述細長體包含在一端處的入口,封閉的第二端及沿著入口端與封閉端之間的長度在主體的表面上方延伸的擴散器出口(例如,“開口”)。在殼體的內部處的通道沿著入口端與封閉端之間的長度延伸,并連接到入口及擴散器出口。通道沿著擴散器殼體的長度可具有不同尺寸,以改進通過擴散器出口的流動的均勻性。例如,當在沿著縱向軸的方向上觀看時,在沿著長度的不同位置處,通道可具有不同的橫截面面積、深度或兩者。通道的橫截面面積或深度可在靠近于封閉端的位置處減小,以沿著長度改進氣體通過擴散器出口的流動的均勻性。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





