[實用新型]磁控濺射鍍膜工藝室

有效

• 申請號: 202222989956.1
• 申請日: 2022-11-07
• 公開（公告）號: CN218756004U
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 李茂;王豪奇;李建華
• 申請（專利權）人: 浙江生波智能裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 中山市捷凱專利商標代理事務所(特殊普通合伙) 44327
• 代理人: 石仁

本實用新型實施例公開了一種磁控濺射鍍膜工藝室，其磁控濺射源包括第一磁控濺射源、第二磁控濺射源、第三磁控濺射源和第四磁控濺射源，其中，第一磁控濺射源和第二磁控濺射源位于磁控濺射鍍膜工藝室左側，用于在柔性PI基材背面的Cu過渡層上形成Cu功能層；第三磁控濺射源和第四磁控濺射源位于磁控濺射鍍膜工藝室右側，用于在柔性PI基材正面的Cu過渡層上形成Cu功能層。本實用新型實施例，在柔性PI基材的正反面各配置兩個磁控濺射源，可雙面同時一次完成鍍膜，減少往復卷繞導致的良率以及效率的損失。同時，為能夠制備出表面附著力符合要求的真空鍍膜設備提供良好的保障。

技術領域：

本實用新型涉及一種磁控濺射鍍膜工藝室，尤其是一種應用于卷繞式銅膜真空鍍膜設備中的磁控濺射鍍膜工藝室。

背景技術：

隨著科技發展，特別是柔性電路板技術以及鋰電池技術的發展，對電池電極和電路板的輕薄柔性化需求越來越高。PI材料具有良好的耐溫耐腐蝕的化學穩定性以及優越的機械穩定性，是作為銅膜基材的最佳選擇。

但是，現有真空鍍膜設備中，磁控濺射鍍膜工藝室的鍍膜良率和效率均有待提高。

發明內容：

為克服現有磁控濺射鍍膜工藝室存在的鍍膜良率和效率較低的問題，本實用新型實施例提供了一種磁控濺射鍍膜工藝室。

一種磁控濺射鍍膜工藝室，應用于卷繞式銅膜真空鍍膜設備中，用于通過磁控濺射源以直流濺射的方式在Cu過渡層上形成Cu功能層；磁控濺射鍍膜工藝室的磁控濺射源包括第一磁控濺射源、第二磁控濺射源、第三磁控濺射源和第四磁控濺射源，其中，第一磁控濺射源和第二磁控濺射源位于磁控濺射鍍膜工藝室左側，用于在柔性PI基材背面的Cu過渡層上形成Cu功能層；第三磁控濺射源和第四磁控濺射源位于磁控濺射鍍膜工藝室右側，用于在柔性PI基材正面的Cu過渡層上形成Cu功能層。

本實用新型實施例，工藝室整體結構簡單，在柔性PI基材的正反面各配置兩個磁控濺射源，可雙面同時一次完成鍍膜，減少往復卷繞導致的良率以及效率的損失。同時，為能夠制備出表面附著力符合要求的真空鍍膜設備提供良好的保障。

附圖說明：

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例的用于電路板或電池電極的卷繞式銅膜真空鍍膜設備的示例性布局示意圖；

圖2為本實用新型實施例的放卷室的結構示意圖；

圖3為本實用新型實施例的表面活化工藝室的結構示意圖；

圖4為本實用新型實施例的改性工藝室的結構示意圖；

圖5為本實用新型實施例的弧靶離子鍍膜工藝室的結構示意圖；

圖6為本實用新型實施例的磁控濺射鍍膜工藝室的結構示意圖；

圖7為本實用新型實施例的收卷室的結構示意圖；

圖8為本實用新型實施例的加熱器的主視圖；

圖9為本實用新型實施例的加熱器的俯視圖；

圖10為本實用新型實施例的冷卻輥的結構示意圖；

圖11為本實用新型實施例的冷卻輥的剖視圖；

圖12為本實用新型實施例的擺輥的結構示意圖；

圖13為本實用新型實施例的真空鍍膜設備制備的銅膜產品樣品一的平面展開示意圖；

圖14為本實用新型實施例的真空鍍膜設備制備的銅膜產品樣品二的平面展開示意圖。

具體實施方式：