[實用新型]磁控濺射鍍膜工藝室

有效

• 申請號: 202222989956.1
• 申請日: 2022-11-07
• 公開（公告）號: CN218756004U
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 李茂;王豪奇;李建華
• 申請（專利權）人: 浙江生波智能裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 中山市捷凱專利商標代理事務所(特殊普通合伙) 44327
• 代理人: 石仁

1.一種磁控濺射鍍膜工藝室，應用于卷繞式銅膜真空鍍膜設備中，用于通過磁控濺射源以直流濺射的方式在Cu過渡層上形成Cu功能層；其特征在于，

磁控濺射鍍膜工藝室的磁控濺射源包括第一磁控濺射源、第二磁控濺射源、第三磁控濺射源和第四磁控濺射源，其中，第一磁控濺射源和第二磁控濺射源位于磁控濺射鍍膜工藝室左側，用于在柔性PI基材背面的Cu過渡層上形成Cu功能層；第三磁控濺射源和第四磁控濺射源位于磁控濺射鍍膜工藝室右側，用于在柔性PI基材正面的Cu過渡層上形成Cu功能層。

2.如權利要求1所述的磁控濺射鍍膜工藝室，其特征在于，

磁控濺射鍍膜工藝室內靠近第一磁控濺射源和第二磁控濺射源的右側設有上下設置的第五冷卻輥和第六冷卻輥，第五冷卻輥和第六冷卻輥之間設有第三縱向冷卻板，該第三縱向冷卻板與第一磁控濺射源和第二磁控濺射源相對，并用于對柔性PI基材的正面進行冷卻處理。

3.如權利要求2所述的磁控濺射鍍膜工藝室，其特征在于，

磁控濺射鍍膜工藝室內靠近第三磁控濺射源和第四磁控濺射源的左側設有上下設置的第七冷卻輥和第八冷卻輥，第七冷卻輥和第八冷卻輥之間設有第四縱向冷卻板，該第四縱向冷卻板與第三磁控濺射源和第四磁控濺射源相對，并用于對柔性PI基材的背面進行冷卻處理。

4.如權利要求1-3任一項所述的磁控濺射鍍膜工藝室，其特征在于，磁控濺射鍍膜工藝室的工作壓強為0.2-0.5Pa。

5.如權利要求1-3任一項所述的磁控濺射鍍膜工藝室，其特征在于，柔性PI基材的厚度為4.5-75μm。

6.如權利要求1-3任一項所述的磁控濺射鍍膜工藝室，其特征在于，柔性PI基材的輸送速度為0.5-1m/min。

7.如權利要求1-3任一項所述的磁控濺射鍍膜工藝室，其特征在于，磁控濺射鍍膜工藝室內的張力在10-100N之間，波動小于1N。