[實用新型]用于電路板或電池電極的卷繞式銅膜真空鍍膜設備

有效

• 申請號: 202222984601.3
• 申請日: 2022-11-07
• 公開（公告）號: CN218756020U
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 姜翠寧;李小彭;李仕軍;高文波;李星
• 申請（專利權）人: 浙江生波智能裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/32
• 代理公司: 中山市捷凱專利商標代理事務所(特殊普通合伙) 44327
• 代理人: 石仁

1.一種用于電路板或電池電極的卷繞式銅膜真空鍍膜設備，至少包括依次設置的放卷室、工藝室、及收卷室；放卷室通過放卷輥將柔性PI基材放卷向前輸送，收卷室通過收卷輥對生成Cu功能層的銅膜進行卷收；其特征在于，工藝室至少包括：

表面活化工藝室，用于對輸送而來的柔性PI基材進行二次烘烤，并通過離子源對柔性PI基材進行材料表面活化處理；

改性工藝室，用于通過金屬源注入Cu離子，使經表面活化處理的柔性PI基材表面，形成由Cu離子和PI材料表面原子或分子相結合的改性嵌入層；

弧靶離子鍍膜工藝室，用于通過弧源離子源注入Cu離子，使改性嵌入層上形成Cu過渡層；以及

磁控濺射鍍膜工藝室，用于通過磁控濺射源以直流濺射的方式在Cu過渡層上形成Cu功能層。

2.如權利要求1所述的用于電路板或電池電極的卷繞式銅膜真空鍍膜設備，其特征在于，

弧靶離子鍍膜工藝室的弧源離子源包括第一弧源離子源和第二弧源離子源，其中，第一弧源離子源位于弧靶離子鍍膜工藝室左側偏上位置，并用于在柔性PI基材正面的改性嵌入層上形成Cu過渡層；而第二弧源離子源位于弧靶離子鍍膜工藝室右側偏下位置，并用于在柔性PI基材背面的改性嵌入層上形成Cu過渡層。

3.如權利要求2所述的用于電路板或電池電極的卷繞式銅膜真空鍍膜設備，其特征在于，

弧靶離子鍍膜工藝室內靠近第一弧源離子源處設有上下設置的第一冷卻輥和第二冷卻輥，第一冷卻輥和第二冷卻輥之間設有第一縱向冷卻板，該第一縱向冷卻板與第一弧源離子源相對，并用于對柔性PI基材的背面進行冷卻處理；

弧靶離子鍍膜工藝室內靠近第二弧源離子源處設有上下設置的第三冷卻輥和第四冷卻輥，第三冷卻輥和第四冷卻輥之間設有第二縱向冷卻板，該第二縱向冷卻板與第二弧源離子源相對，并用于對柔性PI基材的正面進行冷卻處理。

4.如權利要求3所述的用于電路板或電池電極的卷繞式銅膜真空鍍膜設備，其特征在于，

磁控濺射鍍膜工藝室的磁控濺射源包括第一磁控濺射源、第二磁控濺射源、第三磁控濺射源和第四磁控濺射源，其中，第一磁控濺射源和第二磁控濺射源位于磁控濺射鍍膜工藝室左側，用于在柔性PI基材背面的Cu過渡層上形成Cu功能層；第三磁控濺射源和第四磁控濺射源位于磁控濺射鍍膜工藝室右側，用于在柔性PI基材正面的Cu過渡層上形成Cu功能層。

5.如權利要求4所述的用于電路板或電池電極的卷繞式銅膜真空鍍膜設備，其特征在于，

磁控濺射鍍膜工藝室內靠近第一磁控濺射源和第二磁控濺射源的右側設有上下設置的第五冷卻輥和第六冷卻輥，第五冷卻輥和第六冷卻輥之間設有第三縱向冷卻板，該第三縱向冷卻板與第一磁控濺射源和第二磁控濺射源相對，并用于對柔性PI基材的正面進行冷卻處理；

磁控濺射鍍膜工藝室內靠近第三磁控濺射源和第四磁控濺射源的左側設有上下設置的第七冷卻輥和第八冷卻輥，第七冷卻輥和第八冷卻輥之間設有第四縱向冷卻板，該第四縱向冷卻板與第三磁控濺射源和第四磁控濺射源相對，并用于對柔性PI基材的背面進行冷卻處理。

6.如權利要求5所述的用于電路板或電池電極的卷繞式銅膜真空鍍膜設備，其特征在于，

改性工藝室的金屬源包括第一金屬源和第二金屬源，其中，第一金屬源位于改性工藝室左側偏上位置，并用于在柔性PI基材正面形成由Cu離子和PI材料表面原子或分子相結合的改性嵌入層；而第二金屬源位于改性工藝室右側偏下位置，并用于在柔性PI基材背面形成由Cu離子和PI材料表面原子或分子相結合的改性嵌入層。

7.如權利要求6所述的用于電路板或電池電極的卷繞式銅膜真空鍍膜設備，其特征在于，

改性工藝室內靠近第一金屬源處設有上下設置的第九冷卻輥和第十冷卻輥，第九冷卻輥和第十冷卻輥之間設有第五縱向冷卻板，該第五縱向冷卻板與第一金屬源相對，并用于對柔性PI基材的背面進行冷卻處理；

改性工藝室內靠近第二金屬源處設有上下設置的第十一冷卻輥和第十二冷卻輥，第十一冷卻輥和第十二冷卻輥之間設有第六縱向冷卻板，該第六縱向冷卻板與第二金屬源相對，并用于對柔性PI基材的正面進行冷卻處理。