[實用新型]一種沉積設備

有效

• 申請號: 202222946970.3
• 申請日: 2022-11-07
• 公開（公告）號: CN218812073U
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 姚林松;陳麗祥;周宇洋
• 申請（專利權）人: 威科賽樂微電子股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C14/22;C23C16/458;C23C14/50;H01J37/32;H01L21/687
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 黃宗波

本實用新型涉及半導體加工設備領域，公開了一種沉積設備，包括反應腔室、安裝在反應腔室內的加熱機構和升降臺，反應腔室內還安裝有用于翻轉晶圓的翻轉機構，翻轉機構包括翻轉框、驅動件和夾持件，翻轉框轉動安裝在反應腔室內，驅動件固定在反應腔室外并用于驅動翻轉框轉動，夾持件固定在翻轉框上并用于夾持放置在升降臺上的晶圓。本實用新型使得同一個機臺能夠連續沉積晶圓的正反兩面，減少了反復傳送晶圓而給晶圓帶來的損壞風險，同時也能夠提高晶圓表面薄膜的沉積質量。

技術領域

本實用新型涉及半導體加工設備技術領域，尤其涉及一種沉積設備。

背景技術

氣相沉積技術是利用氣相中發生的物理、化學過程，在工件表面形成功能性或裝飾性的金屬、非金屬或化合物涂層的技術。氣相沉積技術按照成膜機理，可分為物理氣相沉積、化學氣相沉積和等離子體氣相沉積這幾種。而在晶圓的加工過程中，為了確保晶圓的質量，通常會使用氣相沉積技術，在晶圓的表面沉積介質薄膜，形成保護層。

在現有的氣相沉積設備中，通常具有一個可以抽真空的反應腔室，反應腔室內設置有用于放置晶圓的升降臺以及用于加熱氣體的加熱機構。當需要在晶圓表面沉積介質薄膜時，首先通過機械手臂將晶圓放置到反應腔室內的載臺上，然后密閉反應腔室并對反應腔室抽真空處理，再打開加熱機構并通入反應氣體，使各種反應氣體發生反應，最終沉積到晶圓表面。

在實際加工過程中，晶圓的正反兩面均需要沉積。但是由于氣相沉積設備的局限性，大多數晶圓的正面沉積和反面沉積需要到不同的機臺運行工藝。不僅操作比較麻煩，降低工作效率；而且這樣反復傳送晶圓，容易降低晶圓表面薄膜的沉積質量，甚至會損壞晶圓或者導致薄膜脫落，嚴重影響集成器件的性能。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型的目的是提供一種沉積設備，解決了背景技術中指出的現有的氣相沉積設備不能連續加工晶圓的正反兩面的問題。

本實用新型通過以下技術手段解決上述技術問題：

一種沉積設備，包括反應腔室、安裝在反應腔室內的加熱機構和升降臺，所述反應腔室內還安裝有用于翻轉晶圓的翻轉機構，所述翻轉機構包括翻轉框、驅動件和夾持件，所述翻轉框轉動安裝在反應腔室內，所述驅動件固定在反應腔室外并用于驅動翻轉框轉動，所述夾持件固定在翻轉框上并用于夾持放置在升降臺上的晶圓。

進一步，所述升降臺包括升降氣缸、安裝板和多根支撐柱，所述升降氣缸固定在反應腔室內的底側，所述安裝板固定在升降氣缸的輸出軸一端，多根所述支撐柱呈環形陣列結構固定在安裝板上，所述支撐柱的上端均用于支撐晶圓的邊緣部位。

進一步，所述翻轉框的兩側均固定有轉軸，所述轉軸轉動安裝在反應腔室內；所述驅動件為電機，所述電機的輸出軸穿至反應腔室內與其中一根轉軸固定。

進一步，所述夾持件的數量為兩組，兩組所述夾持件對稱設置在升降臺兩側，所述夾持件包括驅動氣缸和夾具頭，所述驅動氣缸固定在翻轉框上，所述夾具頭固定在氣缸的輸出軸一端。

進一步，所述夾具頭與晶圓接觸的一側設有適配晶圓邊緣的弧形槽。

進一步，所述加熱機構包括安裝盤和電阻絲，所述安裝盤可拆卸安裝在反應腔室內的頂側，所述電阻絲固定在安裝盤的底側。

進一步，所述電阻絲呈渦旋狀結構。

進一步，所述加熱機構還包括多個加熱燈，多個所述加熱燈均勻設置在反應腔室內的底側。

進一步，所述反應腔室內還安裝有環形氣管，所述環形氣管位于電阻絲和支撐桿之間，所述環形氣管與反應腔室內的進氣口連通，所述環形氣管朝向反應腔室中心的一側開設有多個均勻分布的出氣孔。

本實用新型的有益效果：