[實用新型]一種碳化硅二極管

有效

• 申請號: 202222845343.0
• 申請日: 2022-10-26
• 公開（公告）號: CN218730917U
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 李小芹;燕云峰;江小芬;王小磊;肖貴明;李小紅
• 申請（專利權）人: 東莞市紐航電子有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/49
• 代理公司: 東莞市中正知識產權事務所(普通合伙) 44231
• 代理人: 成偉

一種碳化硅二極管，其包括底部設置的底座，底座一側設置的碳化硅芯片，碳化硅芯片一側中部嵌入設置的N型硅層，N型硅層一側中部嵌入設置的PN結以及PN結一側設置的陽極引線，還包括緩沖層，所述碳化硅芯片與底座和N型硅層之間均設置有緩沖層；所述緩沖層包括過渡金屬層、凹槽、陶瓷墊片、X型陶瓷架和凸塊，過渡金屬層分別設置在底座的頂部和N型硅層的底部，碳化硅芯片底部的過渡金屬層和碳化硅芯片頂部的過渡金屬層上均設置有陶瓷墊片，陶瓷墊片的內部設置有X型陶瓷架，碳化硅芯片的頂端和底部對應X型陶瓷架的外側設置有凸塊，本實用新型結構新穎，構思巧妙，可對碳化硅芯片進行防護，在熱膨脹時避免碳化硅芯片損壞，有利于使用。

技術領域

本實用新型涉及二極管，具體為一種碳化硅二極管。

背景技術

碳化硅材料具有寬帶隙，高擊穿場強，高熱導率，高飽和電子遷移速率，以及極好的物理化學穩定性等特性，適用于高溫、高頻、大功率和極端環境下工作。碳化硅二極管包括單極型器件和雙極型器件兩大類，單極型器件指的是在工作狀態下只有一種載流子導電的器件，如肖特基二極管和結勢壘肖特基二極管；雙極型器件指的是在工作狀態下有兩種載流子導電的器件，如PiN二極管。碳化硅二極管芯片與上下焊接的過渡層金屬，其熱膨脹系數不同于兩端，如若芯片面積較大，在溫度較高時容易撕裂芯片。

為此出現了申請號為：202020409616.5一種碳化硅二極管可以解決上述問題，但現有的碳化硅二極管過渡金屬層的伸縮槽開口與碳化硅芯片連接，這樣，在伸縮槽熱膨脹伸縮時仍會拉扯碳化硅芯片，不利于對碳化硅芯片的防護。

實用新型內容

針對上述情況，為克服現有技術的缺陷，本實用新型提供一種碳化硅二極管，有效的解決了現有的碳化硅二極管過渡金屬層的伸縮槽開口與碳化硅芯片連接，這樣，在伸縮槽熱膨脹伸縮時仍會拉扯碳化硅芯片，不利于對碳化硅芯片的防護的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：本實用新型包括底部設置的底座，底座一側設置的碳化硅芯片，碳化硅芯片一側中部嵌入設置的N型硅層，N型硅層一側中部嵌入設置的PN結以及PN結一側設置的陽極引線，還包括緩沖層，所述碳化硅芯片與底座和N型硅層之間均設置有緩沖層；

所述緩沖層包括過渡金屬層、凹槽、陶瓷墊片、X型陶瓷架和凸塊，過渡金屬層分別設置在底座的頂部和N型硅層的底部，碳化硅芯片底部的過渡金屬層和碳化硅芯片頂部的過渡金屬層上均設置有陶瓷墊片，陶瓷墊片的內部設置有X型陶瓷架，碳化硅芯片的頂端和底部對應X型陶瓷架的外側設置有凸塊。

優選的，所述過渡金屬層的中部開設有若干個凹槽。

優選的，所述陶瓷墊片的內部為中空結構。

優選的，所述碳化硅芯片底部的過渡金屬層的長度大于碳化硅芯片頂部的過渡金屬層的長度。

優選的，所述過渡金屬層的材質為鉬。

優選的，所述底座一側設置有陰極引線。

有益效果：本實用新型使用時，設置在碳化硅芯片兩側的過渡金屬層上開設的凹槽，可在過渡金屬層發生熱膨脹時，對過渡金屬層進行緩沖，避免因過渡金屬層的熱膨脹拉扯碳化硅芯片，可對碳化硅芯片進行防護，而設置的陶瓷墊片幾乎不會發生熱膨脹，進一步通過設置的陶瓷墊片對碳化硅芯片進行防護，提高碳化硅芯片的使用壽命。

本實用新型結構新穎，構思巧妙，可對碳化硅芯片進行防護，在熱膨脹時避免碳化硅芯片損壞，有利于使用。

附圖說明

附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的限制。在附圖中：

圖1是本實用新型整體結構示意圖；

圖2是本實用新型陶瓷墊片結構示意圖；