[實用新型]一種碳化硅二極管

有效

• 申請號: 202222845343.0
• 申請日: 2022-10-26
• 公開（公告）號: CN218730917U
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 李小芹;燕云峰;江小芬;王小磊;肖貴明;李小紅
• 申請（專利權）人: 東莞市紐航電子有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/49
• 代理公司: 東莞市中正知識產權事務所(普通合伙) 44231
• 代理人: 成偉

1.一種碳化硅二極管，包括底部設置的底座（1），底座（1）一側設置的碳化硅芯片（3），碳化硅芯片（3）一側中部嵌入設置的N型硅層（4），N型硅層（4）一側中部嵌入設置的PN結（5）以及PN結（5）一側設置的陽極引線（6），其特征在于：還包括緩沖層（7），所述碳化硅芯片（3）與底座（1）和N型硅層（4）之間均設置有緩沖層（7）；

所述緩沖層（7）包括過渡金屬層（701）、凹槽（702）、陶瓷墊片（703）、X型陶瓷架（704）和凸塊（705），過渡金屬層（701）分別設置在底座（1）的頂部和N型硅層（4）的底部，碳化硅芯片（3）底部的過渡金屬層（701）和碳化硅芯片（3）頂部的過渡金屬層（701）上均設置有陶瓷墊片（703），陶瓷墊片（703）的內部設置有X型陶瓷架（704），碳化硅芯片（3）的頂端和底部對應X型陶瓷架（704）的外側設置有凸塊（705）。

2.根據權利要求1所述的一種碳化硅二極管，其特征在于，所述過渡金屬層（701）的中部開設有若干個凹槽（702）。

3.根據權利要求1所述的一種碳化硅二極管，其特征在于，所述陶瓷墊片（703）的內部為中空結構。

4.根據權利要求1所述的一種碳化硅二極管，其特征在于，所述碳化硅芯片（3）底部的過渡金屬層（701）的長度大于碳化硅芯片（3）頂部的過渡金屬層（701）的長度。

5.根據權利要求1所述的一種碳化硅二極管，其特征在于，所述過渡金屬層（701）的材質為鉬。

6.根據權利要求1所述的一種碳化硅二極管，其特征在于，所述底座（1）一側設置有陰極引線（2）。